990 EVO Plus 1 TB (PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2, NVMe 2, M.2 2280, intern)

Spektakuläre Geschwindigkeit, jeden Tag
Erledigen Sie Ihre To-Do-Liste schneller. Der 990 EVO Plus mit neuestem NAND bietet noch bessere sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Supergroße Dateien, sofortige Übertragung.

Ausreichende Abkühlung für den ganzen Tag
Verbesserte Effizienz, stärkere Leistung. Der mit Nickel beschichtete Controller liefert 73 % mehr MB/s pro Watt und bietet das gleiche Leistungsniveau und die gleiche Temperaturkontrolle bei geringerem Energieverbrauch. Überhitzung oder die Angst vor einem leeren Akku gehören der Vergangenheit an. Sie können sich voll und ganz auf Ihre Arbeit oder Ihr Spiel konzentrieren.

Zusätzlicher Platz. Extra schnell.
Nutzen Sie die volle Leistung Ihres Laufwerks mit dem verbesserten Intelligent TurboWrite 2.0. Verarbeiten Sie große Datenmengen schneller und laden Sie umfangreiche Grafiken mühelos mit mehr Platz für TurboWrite. Jetzt mit nicht weniger als 4 TB Kapazität erhältlich.

Samsung Magician-Software
Entdecken Sie die magische Kraft Ihrer SSD. Die Samsung Magician-Software ist eine Suite von Optimierungstools und bietet Ihnen immer die beste SSD-Leistung. Der sichere und einfache Weg, alle Ihre Daten für ein Samsung SSD-Upgrade zu migrieren. Schützen Sie wertvolle Daten, überwachen Sie den Zustand Ihres Monitortreibers und erhalten Sie die neuesten Firmware-Updates.

Erwecken Sie Innovationen zum Leben
Seit Jahrzehnten bildet der NAND-Flash-Speicher von Samsung die Grundlage für revolutionäre Technologien, die unser tägliches Leben in jeder Hinsicht verändert haben. Dieser NAND-Flash-Speicher ist auch die Basis unserer SSDs für Kunden und stellt somit die nächste führende Entwicklung dar.

Leistung
Sequentielle Lesegeschwindigkeit bis zu 7.250 MB/s, nicht weniger als 45 % schneller als das Vorgängermodell.

Effiziente Leistung
73 % energieeffizienter für mehr MB/s pro Watt, ohne Einbußen bei Leistung und Wärmekontrolle.

Vielseitigkeit
Bis zu 4 TB zusätzliche Kapazität und schnelles Intelligent TurboWrite 2.0 mit mehr TurboWrite-Speicherplatz.

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Verbesserte Effizienz, stärkere Leistung. Der mit Nickel beschichtete Controller liefert 73 % mehr MB/s pro Watt und bietet das gleiche Leistungsniveau und die gleiche Temperaturkontrolle bei geringerem Energieverbrauch. Überhitzung oder die Angst vor einem leeren Akku gehören der Vergangenheit an. Sie können sich voll und ganz auf Ihre Arbeit oder Ihr Spiel konzentrieren.

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Seit Jahrzehnten bildet der NAND-Flash-Speicher von Samsung die Grundlage für revolutionäre Technologien, die unser tägliches Leben in jeder Hinsicht verändert haben. Dieser NAND-Flash-Speicher ist auch die Basis unserer SSDs für Kunden und stellt somit die nächste führende Entwicklung dar.

Sequentielle Lesegeschwindigkeit bis zu 7.250 MB/s, nicht weniger als 45 % schneller als das Vorgängermodell.

73 % energieeffizienter für mehr MB/s pro Watt, ohne Einbußen bei Leistung und Wärmekontrolle.

Bis zu 4 TB zusätzliche Kapazität und schnelles Intelligent TurboWrite 2.0 mit mehr TurboWrite-Speicherplatz.

Erstaunliche Geschwindigkeit - jeden Tag
Erledigen Sie Aufgaben in Windeseile. die 990 EVO Plus mit dem neuesten NAND bietet optimierte sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Riesige Dateien, sofortige Übertragung.

Verhindern Sie, dass Sie und Ihre SSD in den roten Bereich geraten.
Optimierte Effizienz - verbesserte Leistung. Der vernickelte Treiber steigert die MB/s pro Watt um 73 % und erreicht so das gleiche Leistungsniveau und Wärmemanagement bei geringerem Stromverbrauch. Konzentrieren Sie sich auf Ihre Arbeit oder Ihr Spiel - ohne sich Gedanken über Überhitzung oder Akkulaufzeit machen zu müssen.

Mehr Platz. Extra Geschwindigkeit
Holen Sie mit dem verbesserten Intelligent TurboWrite 2.0 das Beste aus Ihrem Laufwerk heraus. Verarbeiten Sie große Datenmengen schneller und navigieren Sie einfach und elegant durch umfangreiche Grafiken mit dem erweiterten TurboWrite-Bereich, der jetzt mit einer Kapazität von 4 TB verfügbar ist.

Die wichtigsten Vorteile:
- Produktivität: Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.250 MB/s - 45 % schneller als die 990 EVO
- : Um 73 % verbesserte für mehr MB/s pro Wattjahr bei gleichbleibender Leistung und Wärmemanagement.
- Vielseitigkeit: Bis zu 4 TB mehr Kapazität und schnelles IntelligentTurboWrite 2.0 mit erweitertem TurboWrite-Bereich.

Parameter und Spezifikationen:
1000 GBKapazität
M.2 (2280)
PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Software: Magician SSD Management Software

Cache-Speicher: HMB (Host Memory Buffer)
Interner Speicher: Samsung V-NAND TLC

Sequentielle Geschwindigkeit:
- 7.150 MB/s Lesen
- Schreiben: 6.300 MB/s

Maximale Anzahl zufälliger I/O-Lese- und Schreibvorgänge pro Sekunde:
- Lesen: 850.000 IOPS (4 kB, QD32)
- Schreiben: 1.350.000 IOPS ((4 kB, QD32)

Zuverlässigkeit (MTBF): 1,5 Millionen Stunden Zuverlässigkeit (MTBF)

Sonstiges:
- TRIM
- S.M.A.R.T
- GC (Garbage Collection) - automatisch
- AES 256-Bit-Verschlüsselung (Klasse 0)TCG/Opal IEEE1667 (Verschlüsselte Festplatte)
- Unterstützung für den Ruhemodus des Geräts
- Intelligentes Turbowrite 2.0

Abmessungen: 80,15 x maximal 22,15 x maximal 2,38 mm
Gewicht: 9 g





Gerät aus , technisch überprüft, auf Werkseinstellungen gesetzt, Zustand . Verpackung geöffnet. mit .

• Leistungsstark: interne SSD mit sequenziellen Lesegeschwindigkeiten bis zu 7.150 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten bis zu 6.300 MB/s¹ (bis zu 45 Prozent schneller als die 990 EVO²)
• Energieeffizient: bis zu 73 Prozent höhere im Vergleich zum Vorgängermodell³ - für mehr MB/s pro Watt und eine lange Akkulaufzeit
• Vielseitig: hohe Performance beim täglichen Gaming und Arbeiten sowie für kreative Projekte dank Kompatibilität mit PCIe 4.0 x4 und PCIe 5.0 x2
• Zuverlässig: Heat Spreader Label zur effektiven Wärmeabfuhr beim NAND-Chip, Moderner thermischer Steueralgorithmus und Dynamic Thermal Guard zur Wärmeregulierung – für konstant hohe Performance
• Einfache Laufwerksverwaltung: bedienungsfreundliche Samsung Magician Software für Laufwerk-Updates und Leistungsoptimierung⁵ ⁶
• Lieferumfang: 1 x Samsung 990 EVO Plus Interne NVMe M.2 SSD MZ-V9S1T0BW, Solid State Drive, Speicherkapazität: 1 TB

Funktionen
Schnittstelle : PCI Express 4 0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen : 256-bit AES
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) : 1500000 h
Speichertyp : V-NAND TLC
Lesegeschwindigkeit : 7150 MB/s
Schreibgeschwindigkeit : 6300 MB/s
SSD Speicherkapazität : 1 TB
S.M.A.R.T. Unterstützung : Ja
TRIM-Unterstützung : Ja
Zufälliges Schreiben (4KB) : 1350000 IOPS
Zufälliges Lesen (4KB) : 850000 IOPS
Komponente für : PC
Hardwareverschlüsselung : Ja
SSD-Formfaktor : M 2
NVMe : Ja
NVMe Version : 2 0
M.2 SSD- Größe : 2280 (22 x 80 mm)

Gewicht & Abmessungen
Gewicht : 9 g
Höhe : 22,1 mm
Breite : 80,2 mm
Tiefe : 2,38 mm

Betriebsbedingungen
Betriebstemperatur : 0 - 70 °C

SSD Speicherkapazität:

1 TB

SSD-Formfaktor:

M.2

Schnittstelle:

PCI Express 4.0

NVMe:

Ja

Speichertyp:

V-NAND TLC

Komponente für:

PC

Hardwareverschlüsselung:

Ja

NVMe Version:

2.0

Unterstützte Sicherheitsalgorithmen:

256-bit AES

M.2 SSD- Größe:

2280 (22 x 80 mm)

Lesegeschwindigkeit:

7150 MB/s

Schreibgeschwindigkeit:

6300 MB/s

Zufälliges Lesen (4KB):

850000 IOPS

Zufälliges Schreiben (4KB):

1350000 IOPS

DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung:

Ja

S.M.A.R.T. Unterstützung:

Ja

TRIM-Unterstützung:

Ja

Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF):

1500000 h

Arbeitsspannung:

3,3 V

Energieverbrauch (lesen):

4,3 W

Energieverbrauch (schreiben):

4,2 W

Durchschnittlicher Stromverbrauch (Lesen):

4,3 W

Durchschnittlicher Stromverbrauch (Schreiben):

4,2 W

Energieverbrauch (idle):

0,06 W

Leistungsaufnahme DevSlp (Geräte Schlaf):

5 mW

Breite:

80,2 mm

Tiefe:

2,38 mm

Höhe:

80,2 mm

Gewicht:

9 g

Verpackungsbreite:

145 mm

Verpackungstiefe:

100 mm

Verpackungshöhe:

24 mm

Paketgewicht:

68 g

Betriebstemperatur:

0 - 70 °C

Stoßfestigkeit in Betrieb:

1500 G

Erledige deine Aufgaben im Handumdrehen. Die 990 EVO Plus mit aktuellem NAND-Flash-Speicher bietet sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Große Dateien, schnell übertagen.

Viel Effizienz für hohe Performance. Der nickelbeschichtete Controller erhöht die MB/s pro Watt im Vergleich zur 990 EVO um bis zu 73% und erreicht die gleiche Leistung und Wärmekontrolle bei weniger Stromverbrauch. Fokussiere dich ganz auf deine Arbeit oder dein Gaming, ohne dir Gedanken um Überhitzung oder die Akkulaufzeit machen zu müssen.

SAMSUNG
Interne M.2 SSD-Festplatte
990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD - 1 TB
M.2 SSD-Festplatte
1 TB Speicherkapazität
Schnittstelle: PCI Express 4.0
7150 MB/s Lesegeschwindigkeit, 6300 MB/s Schreibgeschwindigkeit

Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

• Typ: SSD
• Anschlüsse:
  • M.2
  • PCI-Express 4.0
• Speicher-Typ: V-NAND TLC
• Geschwindigkeit: 6300 MB/S
• Festplatte: 1 TB SSD
• Empfohlene Verwendung: Desktop PC
• Ungefähre Abmessungen: 8 x 2,2 x 0,22 cm

Produktspezifikationen:

• Kapazität: 1 TB
• Größe: M.2
• Schnittstelle: PCI Express 4.0

Hersteller-Nr.:MZ-V9S1T0BW

Kurzinfo: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - verschlüsselt - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2.0 Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZ-V9S1T0BW EAN/UPC 8806095575674 Produktbeschreibung: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - 1 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe) Typ Solid State Drive - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 5.0 x2 (NVMe) Merkmale Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm Gewicht 9 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 5.0 x2 (NVMe) Merkmale Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Breite 22.15 mm Tiefe 80.15 mm Höhe 2.38 mm Gewicht 9 g Leistung Interner Datendurchsatz 7150 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben) Maximal 4 KB Random Write 1350000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 850000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1.500.000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 Stromversorgung Energieverbrauch 4.3 Watt (Lesen) 4.2 Watt (Schreiben) 60 mW (Standby) 5 mW (Sleep-Modus) Software & Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Verschiedenes Gehäusematerial Nickelbeschichtung Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) 20 g @ 20-2000 Hz

1TB Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus Retail - Eine Hochleistungs-SSD mit 1TB Speicherkapazität von Samsung im M. 2-Format, unterstützt PCI-E NVMe Gen4 für ultimative Geschwindigkeit.

Samsung 990 EVO Plus SSD 1TB M.2 PCIe Gen4/Gen5 NVMe Internes Solid-State-Module

Die Samsung 990 EVO Plus NVMe M.2 SSD bietet erhöhte sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7150/6300 MB/s und zufällige Lese-/ Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 850.000/ 1.350.000 IOPS. Durch die Unterstützung der neusten PCIe 4.0 x4- und PCIe 5.0 x2-Schnittstellen bietet es Flexibilität für aktuelle und zukünftige Aufgaben.

Erledigen Sie Aufgaben schneller. Die 990 EVO Plus mit dem neuesten NAND bietet verbesserte sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7150/6300 MB/s. Riesige Dateien werden sofort übertragen. Merkmale Frische Energie über die gesamte Lebensdauer der...

MINIX PELE - BRASILIEN 1. KIT

MZ-V9S1T0BW