Speicherkapazität:

4 TB

Wichtigste Infos auf einen Blick

  • Deine SSD bietet dir eine riesige Kapazität von 4 TB für all deine Daten.
  • Erlebe atemberaubende Geschwindigkeiten von bis zu 7.250 MB/s beim Lesen und 6.300 MB/s beim Schreiben.
  • Dank der PCIe 4.0/5.0 Schnittstelle bist du für die Zukunft bestens gerüstet und profitierst von maximaler Leistung.
  • Mit Intelligent TurboWrite 2.0 verarbeitest du große Dateien und Grafiken blitzschnell.
  • Die Samsung Magician Software hilft dir, deine SSD optimal zu verwalten und die Leistung zu maximieren.
  • Deine Daten sind dank AES 256-Bit Hardwareverschlüsselung sicher geschützt.
KI-generiert auf Basis der Produktdaten

Samsung 990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD - 4 TB, 4 TB, M.2, 7250 MB/s

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Produktbeschreibung & Produktdaten

Spektakuläre Geschwindigkeit jeden Tag
Beenden Sie Ihre Aufgabenliste schneller. Das 990 EVO Plus mit dem neuesten NAND bietet noch bessere sequenzielle Les-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Super große Dateien, direkte Übertragung.

Genug Kühlung für den ganzen Tag
Verbesserte Effizienz, leistungsfähigere Leistung. Der Controller mit Nickelbeschichtung liefert 73% mehr MB/s pro Watt und bietet den gleichen Leistungsniveau und die gleiche thermische Kontrolle mit weniger Energieverbrauch. Überhitzung oder Sorgen um eine leere Batterie gehören der Vergangenheit an. Sie können sich ganz auf Ihre Arbeit oder Ihr Spiel konzentrieren.

Zusätzlicher Raum. Extra schnell.
Verwenden Sie die volle Leistung Ihrer Festplatte mit verbesserter intelligenter Turbowrite 2.0. Verarbeiten Sie große Datenmengen schneller und laden Sie schwere Grafiken mit mehr Platz für Turbowrite. Jetzt mit einer Kapazität von nicht weniger als 4 TB erhältlich.

Samsung Magier -Software
Entdecken Sie die magische Kraft Ihrer SSD. Samsung Magician Software ist ein Paket von Optimierungstools und bietet Ihnen immer die beste SSD -Leistung. Die sichere und einfache Möglichkeit, alle Ihre Daten für ein Samsung SSD -Upgrade zu migrieren. Schützen Sie wertvolle Daten, behalten Sie den Zustand Ihres Monitor -Treibers im Auge und erhalten Sie die neuesten Firmware -Updates.

Innovationen zum Leben erwecken
Das NAND-Flash-Gedächtnis von Samsung ist die Grundlage für revolutionäre Technologien, die seit Jahrzehnten unser tägliches Leben in allen Bereichen verändert haben. Dieser NAND-Flash-Speicher ist auch die Grundlage unserer SSDs für Kunden und daher die nächste führende Entwicklung.

Leistung
Sequentielle Leseberichtungen von bis zu 7.250 MB/s, nicht weniger als 45% schneller als das Vorgängermodell.

Effiziente Kapazität
73% energieeffizienter für mehr MB/s pro Watt, ohne Zugeständnisse zu Leistung und thermischer Kontrolle zu machen.

Vielseitigkeit
Bis zu 4 TB zusätzliche Kapazität und schnell intelligenter Turbowrite 2.0 mit mehr Turbowrite -Raum.

Beenden Sie Ihre Aufgabenliste schneller. Das 990 EVO Plus mit dem neuesten NAND bietet noch bessere sequenzielle Les-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Super große Dateien, direkte Übertragung.

Verbesserte Effizienz, leistungsfähigere Leistung. Der Controller mit Nickelbeschichtung liefert 73% mehr MB/s pro Watt und bietet den gleichen Leistungsniveau und die gleiche thermische Kontrolle mit weniger Energieverbrauch. Überhitzung oder Sorgen um eine leere Batterie gehören der Vergangenheit an. Sie können sich ganz auf Ihre Arbeit oder Ihr Spiel konzentrieren.

Verwenden Sie die volle Leistung Ihrer Festplatte mit verbesserter intelligenter Turbowrite 2.0. Verarbeiten Sie große Datenmengen schneller und laden Sie schwere Grafiken mit mehr Platz für Turbowrite. Jetzt mit einer Kapazität von nicht weniger als 4 TB erhältlich.

Entdecken Sie die magische Kraft Ihrer SSD. Samsung Magician Software ist ein Paket von Optimierungstools und bietet Ihnen immer die beste SSD -Leistung. Die sichere und einfache Möglichkeit, alle Ihre Daten für ein Samsung SSD -Upgrade zu migrieren. Schützen Sie wertvolle Daten, behalten Sie den Zustand Ihres Monitor -Treibers im Auge und erhalten Sie die neuesten Firmware -Updates.

Das NAND-Flash-Gedächtnis von Samsung ist die Grundlage für revolutionäre Technologien, die seit Jahrzehnten unser tägliches Leben in allen Bereichen verändert haben. Dieser NAND-Flash-Speicher ist auch die Grundlage unserer SSDs für Kunden und daher die nächste führende Entwicklung.

Sequentielle Leseberichtungen von bis zu 7.250 MB/s, nicht weniger als 45% schneller als das Vorgängermodell.

73% energieeffizienter für mehr MB/s pro Watt, ohne Zugeständnisse zu Leistung und thermischer Kontrolle zu machen.

Bis zu 4 TB zusätzliche Kapazität und schnell intelligenter Turbowrite 2.0 mit mehr Turbowrite -Raum.



Erstaunliche Geschwindigkeit - jeden Tag
Erledigen Sie Aufgaben in Windeseile. die 990 EVO Plus mit dem neuesten NAND bietet optimierte sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Riesige Dateien, sofortige Übertragung.

Verhindern Sie, dass Sie und Ihre SSD in den roten Bereich geraten.
Optimierte Effizienz - verbesserte Leistung. Der vernickelte Treiber steigert die MB/s pro Watt um 73 % und erreicht so das gleiche Leistungsniveau und Wärmemanagement bei geringerem Stromverbrauch. Konzentrieren Sie sich auf Ihre Arbeit oder Ihr Spiel - ohne sich Gedanken über Überhitzung oder Akkulaufzeit machen zu müssen.

Mehr Platz. Extra Geschwindigkeit
Holen Sie mit dem verbesserten Intelligent TurboWrite 2.0 das Beste aus Ihrem Laufwerk heraus. Verarbeiten Sie große Datenmengen schneller und navigieren Sie einfach und elegant durch umfangreiche Grafiken mit dem erweiterten TurboWrite-Bereich, der jetzt mit einer Kapazität von 4 TB verfügbar ist.

Die wichtigsten Vorteile:
- Produktivität: Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.250 MB/s - 45 % schneller als die 990 EVO
- : Um 73 % verbesserte für mehr MB/s pro Wattjahr bei gleichbleibender Leistung und Wärmemanagement.
- Vielseitigkeit: Bis zu 4 TB mehr Kapazität und schnelles IntelligentTurboWrite 2.0 mit erweitertem TurboWrite-Bereich.

Parameter und Spezifikationen:
4000 GBKapazität
M.2 (2280)
PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Software: Magician SSD-Verwaltungssoftware

Cache-Speicher: HMB (Host Memory Buffer)
Interner Speicher: Samsung V-NAND TLC

Sequentielle Geschwindigkeit:
- 7.250 MB/s Lesen: 7.250 MB/s
- Schreiben: 6300 MB/s

Maximale Anzahl von zufälligen I/O-Lese- und Schreibvorgängen pro Sekunde:
- Lesen: 850.000 IOPS (4 kB, QD32)
- Schreiben: 1.350.000 IOPS ((4 kB, QD32)

Zuverlässigkeit (MTBF): 1,5 Millionen Stunden Zuverlässigkeit (MTBF)

Sonstiges:
- TRIM
- S.M.A.R.T
- GC (Garbage Collection) - automatisch
- AES 256-Bit-Verschlüsselung (Klasse 0)TCG/Opal IEEE1667 (Verschlüsselte Festplatte)
- Unterstützung für den Ruhemodus des Geräts
- Intelligentes Turbowrite 2.0

Abmessungen: 80,15 x maximal 22,15 x maximal 2,38 mm
Gewicht: 9 g





Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
4 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Merkmale
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Breite
22.15 mm
Tiefe
80.15 mm
Höhe
2.38 mm
Gewicht
9 g
Leistung
Interner Datendurchsatz
7250 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
1400000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
1050000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
1.500.000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
5.5 Watt (Lesen)
4.8 Watt (Schreiben)
60 mW (Standby)
5 mW (Sleep-Modus)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen
Samsung Magician Software
Verschiedenes
Gehäusematerial
Nickelbeschichtung
Abmessungen & Gewicht (Transport)
Transportbreite
9.9 cm
Transporttiefe
2.29 cm
Transporthöhe
14.2 cm
Service und Support
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95 % (nicht kondensierend)
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 20-2000 Hz


Funktionen
Schnittstelle : PCI Express 4 0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen : 256-bit AES
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) : 1500000 h
Speichertyp : V-NAND TLC
Lesegeschwindigkeit : 7150 MB/s
Schreibgeschwindigkeit : 6300 MB/s
SSD Speicherkapazität : 4 TB
S.M.A.R.T. Unterstützung : Ja
TRIM-Unterstützung : Ja
Zufälliges Schreiben (4KB) : 1350000 IOPS
Zufälliges Lesen (4KB) : 850000 IOPS
Komponente für : PC
Hardwareverschlüsselung : Ja
SSD-Formfaktor : M 2
NVMe : Ja
NVMe Version : 2 0
M.2 SSD- Größe : 2280 (22 x 80 mm)

Gewicht & Abmessungen
Gewicht : 9 g
Höhe : 22,1 mm
Breite : 80,2 mm
Tiefe : 2,38 mm

Betriebsbedingungen
Betriebstemperatur : 0 - 70 °C



SSD Speicherkapazität:
4 TB
SSD-Formfaktor:
M.2
Schnittstelle:
PCI Express 4.0
NVMe:
Ja
Speichertyp:
V-NAND TLC
Komponente für:
PC
Hardwareverschlüsselung:
Ja
NVMe Version:
2.0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen:
256-bit AES
M.2 SSD- Größe:
2280 (22 x 80 mm)
Lesegeschwindigkeit:
7250 MB/s
Schreibgeschwindigkeit:
6300 MB/s
Zufälliges Lesen (4KB):
1050000 IOPS
Zufälliges Schreiben (4KB):
1400000 IOPS
DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung:
Ja
S.M.A.R.T. Unterstützung:
Ja
TRIM-Unterstützung:
Ja
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF):
1500000 h
Arbeitsspannung:
3,3 V
Energieverbrauch (lesen):
5,5 W
Energieverbrauch (schreiben):
4,8 W
Energieverbrauch (idle):
0,06 W
Leistungsaufnahme DevSlp (Geräte Schlaf):
5 mW
Breite:
80,2 mm
Tiefe:
2,38 mm
Höhe:
80,2 mm
Gewicht:
9 g
Verpackungsbreite:
148 mm
Verpackungstiefe:
100 mm
Verpackungshöhe:
22 mm
Paketgewicht:
70 g
Betriebstemperatur:
0 - 70 °C
Stoßfestigkeit in Betrieb:
1500 G


Produkttypinterne SSD-Festplatte
Leistungsmerkmale 
Lesetransferrate7.250 MB/s
Schreibtransferrate6.300 MB/s
MTBF1.500.000 h
max. Schreibvolumen (TBW)2.400 TB
4K Random Read IOPS1.050.000
4K Random Write IOPS1.400.000
Eigenschaften 
Kapazität in GB4.000 GB
Bauartintern
Speichertyp3D TLC
BusPCIe 5.0 x2
ProtokollNVMe
FeaturesHost Memory Buffer (HMB), TRIM Support, Garbage Collection, SMART, Device Sleep
ControllerSamsung Piccolo
Leistungsaufnahme (Betrieb)5,5 Watt
VerschlüsselungAES 256-Bit
KühlungLow Profile Kühlkörper
Fertigungsprozess5 nm
Umgebungsbedingungen 
schockresistent bis1.500 G
Betriebstemperatur0 - 70 °C
Abmessungen & Gewicht 
FormfaktorM.2
Bauhöhe2,38 mm
Gewicht9 g
Breite22 mm
Länge80 mm
Weitere Eigenschaften 
1.9/td>
Quellen*Ø Strompreis Eurostat (Stand 1. Halbjahr 2020)


Allgemeine Informationen

Hersteller:
Samsung
Hersteller-Artikelnummer:
MZ-V9S4T0BW
Hersteller-Webseite:
Marke:
Samsung
Produktreihe:
990 EVO Plus
Modell:
MZ-V9S4T0
Produktbezeichnung:
Solid State-Laufwerk 990 EVO Plus MZ-V9S1T0
Produkttyp:
Solid State-Laufwerk

Technische Informationen

Speicherkapazität:
4 TB
Unterstützte Plattform:
PC

Laufwerk

Random 4KB Leselaufwerk:
1050000IOPS
Random 4KB Schreiblaufwerk:
1400000IOPS
Endurance (TBW):
2400 TB
Maximale sequentielle Leserate:
7,08 GB/s
Maximale sequentielle Schreibrate:
6,15 GB/s
Mittlere störungsfreie Zeit (Mean Time Between Failures, MTBF):
171,1 Jahr(e)

Schnittstellen / Anschlüsse

Festplatten-Schnittstelle:
PCI Express NVMe
Laufwerk-Schnittstellennorm:
PCI Express NVMe 5.0 x2

Abmessungen / Gewicht / Farbe

Laufwerkstyp:
Intern
Formfaktor:
M.2 2280
Höhe:
2,4 mm
Breite:
22,2 mm
Tiefe:
80,2 mm

Verschiedenes

Betriebssystem-Kompatibilität:
  • Windows 10 Pro
  • Windows 11 Pro
Unterstützte Geräte:
Computer


Wenn Sie sich für IT und Elektronik begeistern.

Sie gerne technologisch auf dem Laufenden sind und auch kleinste Details nicht verpassen, holen Sie sich.

Festplatte Samsung MZ-V9S4T0BW 4 TB SSD.



Typ:

SSD.

Anschlüsse:

PCIe.

M.2.

Festplatte:

4 TB SSD.



Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - verschlüsselt - 4TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5,0 x2 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2,0 (MZ-V9S4T0



Marka: Samsung

Typ Produktu::
Wymiary: 8 x 8 cm


Produktspezifikationen:

  • Kapazität: 4 TB
  • Größe: M.2
  • Schnittstelle: PCI Express 4.0

Hersteller-Nr.: MZ-V9S4T0BW



Technische Einzelheiten:
Hersteller - Samsung



Kurzinfo: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - verschlüsselt - 4 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2.0 Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZ-V9S4T0BW EAN/UPC 8806095575667 Produktbeschreibung: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - 4 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe) Typ Solid State Drive - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 5.0 x2 (NVMe) Merkmale Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm Gewicht 9 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 5.0 x2 (NVMe) Merkmale Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Breite 22.15 mm Tiefe 80.15 mm Höhe 2.38 mm Gewicht 9 g Leistung Interner Datendurchsatz 7250 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben) Maximal 4 KB Random Write 1400000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 1050000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1.500.000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 Stromversorgung Energieverbrauch 5.5 Watt (Lesen) 4.8 Watt (Schreiben) 60 mW (Standby) 5 mW (Sleep-Modus) Software & Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Verschiedenes Gehäusematerial Nickelbeschichtung Abmessungen & Gewicht (Transport) Transportbreite 9.9 cm Transporttiefe 2.29 cm Transporthöhe 14.2 cm Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Min. Lagertemperatur -40 °C Max. Lagertemperatur 85 °C Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb 5 - 95 % (nicht kondensierend) Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) 20 g @ 20-2000 Hz

Die Samsung 990 EVO Plus NVMe M.2 SSD bietet erhöhte sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7150/6300 MB/s und zufällige Lese-/ Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 850.000/ 1.350.000 IOPS. Durch die Unterstützung der neusten PCIe 4.0 x4- und PCIe 5.0 x2-Schnittstellen bietet es Flexibilität für aktuelle und zukünftige Aufgaben.

Erledigen Sie Aufgaben schneller. Die 990 EVO Plus mit dem neuesten NAND bietet verbesserte sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7150/6300 MB/s. Riesige Dateien werden sofort übertragen. Merkmale Frische Energie über die gesamte Lebensdauer der...

Samsung MZ-V9S4T0. SSD-Speicherkapazität: 4 TB, Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 7250 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 6300 MB/s, Verwendungszweck: PC

4TB Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus Retail - Eine 4TB Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus SSD im Einzelhandelspaket.

MINIX BRIDGERTON - PENELOPE FEATHERINGTON

MZ-V9S4T0BW

Samsung 990 EVO Plus SSD 4TB M.2 PCIe Gen4/Gen5 NVMe Internes Solid-State-Module
Lesegeschwindigkeit
7250 MB/s
Schreibgeschwindigkeit
6300 MB/s
Hersteller
Plattformen
Computer
Schnittstellen
PCIe, M.2
Anschlüsse
PCIe
Gewicht
0.009 kg
Speicherkapazität
4 TB
Herstellernummer
MZ-V9S4T0BW
EAN
8806095575667
887276843698
0887276843698

Lesegeschwindigkeit
7250 MB/s
Schreibgeschwindigkeit
6300 MB/s
Hersteller
Plattformen
Computer
Schnittstellen
PCIe, M.2
Anschlüsse
PCIe
Gewicht
0.009 kg
Speicherkapazität
4 TB
Herstellernummer
MZ-V9S4T0BW
EAN
8806095575667
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Produktbild von Samsung 990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD - 1 TB, 1 TB, M.2, 7150 MB/s
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4,9Durchschnittsbewertung: 4,9 von 5Anzahl Bewertungen: 23
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Produktbild von Samsung MZ-V8P2T0BW, 2000 GB, M.2, 7000 MB/s
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4,9Durchschnittsbewertung: 4,9 von 5Anzahl Bewertungen: 24
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Produktbild von Canon PowerShot G7X Mark III, 20,1 MP, 5472 x 3648 Pixel, CMOS, 4,2x, 4K Ultra HD, Schwarz
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Bewertet am 26. April 2026 auf
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Bewertet am 27. Juli 2026 auf
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Bewertet am 5. April 2025 auf
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