Speicherkapazität:

4 TB

Samsung 990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD - 4 TB

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Produktbeschreibung & Produktdaten

Samsung 990 EVO Plus 4 TB M.2 PCI-E x4 NV SSD

Hochleistungslaufwerk

Die Samsung 990 EVO Plus 4 TB M.2 PCI-E x4 SSD ist ein fortschrittliches Hochleistungsspeichergerät, das sich durch exzellente Übertragungsgeschwindigkeiten und Zuverlässigkeit auszeichnet. Sie bietet eine der besten Lösungen ihrer Klasse für professionelle Anwender, Computerbegeisterte und Nutzer, die höchste Leistung suchen. Dank der PCIe 4.0 x4-Schnittstelle und der neuesten NVMe 2.0-Technologie liefert das Laufwerk außergewöhnliche Leistung mit Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7450 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 6900 MB/s. Mit diesen Werten kann die Samsung 990 EVO Plus 4 TB große Dateien schnell verarbeiten, Anwendungen und Spiele in Rekordzeit starten und die Ladezeiten des Betriebssystems verkürzen, wodurch die Gesamtleistung des Computers deutlich verbessert wird. Die Samsung 990 EVO Plus 4 TB SSD vereint hohe Speicherkapazität mit unglaublicher Geschwindigkeit und ist damit die ideale Lösung für anspruchsvolle Nutzer. Mit ihren großzügigen 4 TB Speicher bietet sie ausreichend Platz für große Datenmengen, darunter hochauflösende Multimediadateien, Computerspiele, 4K-Videos, Anwendungen und umfangreiche Datenbanken. Dies macht sie zur perfekten Wahl für professionelle Videobearbeiter und Grafikdesigner sowie für Gamer, die ein schnelles Laufwerk mit hoher Kapazität für speicherintensive Spiele und Anwendungen benötigen.

MODERNE TECHNOLOGIE

Die Samsung 990 EVO Plus SSD nutzt die neueste Generation von V-NAND-NAND-Chips, die eine höhere Langlebigkeit und Zuverlässigkeit als ältere Speichertechnologien bieten. Das Laufwerk ist für intensive Nutzung ausgelegt und somit die ideale Lösung für alle, die bei professionellen Aufgaben wie der Bearbeitung großer Videodateien, der Erstellung von Backups oder der Arbeit mit Datenbanken auf unterbrechungsfreie Leistung angewiesen sind. Die Samsung 990 EVO Plus zeichnet sich zudem durch Langlebigkeit und Widerstandsfähigkeit gegen Beschädigungen aus. Dadurch kann das Laufwerk über lange Zeiträume ohne Überhitzungsgefahr genutzt werden, was insbesondere bei stark beanspruchten Geräten wichtig ist.

KOMPATIBILITÄT

Die M.2 PCIe 4.0-Mainboards und ermöglicht die maximale Ausnutzung der mit diesem Standard verfügbaren Übertragungsgeschwindigkeiten. Das Laufwerk ist auch abwärtskompatibel mit PCIe 3.0, jedoch ermöglicht die Verwendung von PCIe 4.0 volle Lese- und Schreibgeschwindigkeiten, was die Systemleistung deutlich verbessern kann. Dank seiner M.2-Anschlüsse zeichnet sich die Samsung 990 EVO Plus SSD durch ein extrem kompaktes Design aus und ist somit ideal für moderne Desktop-PCs und Laptops mit begrenztem Platz auf dem Mainboard. Die Samsung 990 EVO Plus SSD bietet zudem zahlreiche Funktionen, die ihre Sicherheit und Langlebigkeit verbessern. Integrierte ECC-Fehlerkorrekturalgorithmen und die SMART-Technologie ermöglichen die Überwachung des Laufwerkszustands und die frühzeitige Erkennung potenzieller Probleme, sodass Nutzer beruhigt sein können, dass ihre Daten sicher sind. Darüber hinaus unterstützt das Laufwerk eine 256-Bit-AES-Verschlüsselung, die die Sicherheit gespeicherter Daten durch Schutz vor unberechtigtem Zugriff weiter erhöht.

PREMIUM-KLASSE

Kurz gesagt: Die Samsung 990 EVO Plus M.2 PCI-E x4 SSD ist ein Premium-Gerät, das außergewöhnliche Leistung, hohe Kapazität und Zuverlässigkeit vereint. Mit Übertragungsgeschwindigkeiten, die die Standards der meisten SSDs übertreffen, ist sie eine ausgezeichnete Wahl für Profis, Gamer und Nutzer, die höchste Geschwindigkeit und Effizienz beim Speichern und Übertragen von Daten suchen. Es handelt sich um eine der besten SSDs auf dem Markt, die hervorragende Leistung und Langlebigkeit für anspruchsvolle Anwendungen bietet.

Produktmerkmale:

  • Warnhinweise: Zerlegen Sie das Gerät nicht selbst.
  • M.2 SSD Größe: 2280 (22 x 80 mm)
  • Produktbreite: 80,2 mm
  • Schnittstelle: PCI Express 4.0
  • Produkttiefe: 2,38 mm
  • Produktgewicht: 9 g
  • NVMe: Ja
  • Medienschreibgeschwindigkeit: 6300 MB/s
  • TRIM-Unterstützung: Ja
  • MTBF (Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen): 1500000 h
  • Betriebstemperaturbereich: 0 - 70 °C
  • Speichertyp: V-NAND TLC Medienlesegeschwindigkeit: 7150 MB/s; Verschlüsselung/Sicherheit: 256-Bit-AES; Zufälliges Lesen (4 KB): 850000 IOPS; SSD-Kapazität: 4 TB; Verwendungszweck: PC; Produkthöhe:
  • 22,1 mm SSD-Typ:
  • M.2 NVMe-Version:
  • 2.0 Hardware-Verschlüsselung:
  • Ja SMART-Unterstützung:
  • Ja Zufälliges Schreiben (4 KB):
  • 1.350.000 IOPS


Erstaunliche Geschwindigkeit - jeden Tag
Erledigen Sie Aufgaben in Windeseile. die 990 EVO Plus mit dem neuesten NAND bietet optimierte sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Riesige Dateien, sofortige Übertragung.

Verhindern Sie, dass Sie und Ihre SSD in den roten Bereich geraten.
Optimierte Effizienz - verbesserte Leistung. Der vernickelte Treiber steigert die MB/s pro Watt um 73 % und erreicht so das gleiche Leistungsniveau und Wärmemanagement bei geringerem Stromverbrauch. Konzentrieren Sie sich auf Ihre Arbeit oder Ihr Spiel - ohne sich Gedanken über Überhitzung oder Akkulaufzeit machen zu müssen.

Mehr Platz. Extra Geschwindigkeit
Holen Sie mit dem verbesserten Intelligent TurboWrite 2.0 das Beste aus Ihrem Laufwerk heraus. Verarbeiten Sie große Datenmengen schneller und navigieren Sie einfach und elegant durch umfangreiche Grafiken mit dem erweiterten TurboWrite-Bereich, der jetzt mit einer Kapazität von 4 TB verfügbar ist.

Die wichtigsten Vorteile:
- Produktivität: Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.250 MB/s - 45 % schneller als die 990 EVO
- : Um 73 % verbesserte für mehr MB/s pro Wattjahr bei gleichbleibender Leistung und Wärmemanagement.
- Vielseitigkeit: Bis zu 4 TB mehr Kapazität und schnelles IntelligentTurboWrite 2.0 mit erweitertem TurboWrite-Bereich.

Parameter und Spezifikationen:
4000 GBKapazität
M.2 (2280)
PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Software: Magician SSD-Verwaltungssoftware

Cache-Speicher: HMB (Host Memory Buffer)
Interner Speicher: Samsung V-NAND TLC

Sequentielle Geschwindigkeit:
- 7.250 MB/s Lesen: 7.250 MB/s
- Schreiben: 6300 MB/s

Maximale Anzahl von zufälligen I/O-Lese- und Schreibvorgängen pro Sekunde:
- Lesen: 850.000 IOPS (4 kB, QD32)
- Schreiben: 1.350.000 IOPS ((4 kB, QD32)

Zuverlässigkeit (MTBF): 1,5 Millionen Stunden Zuverlässigkeit (MTBF)

Sonstiges:
- TRIM
- S.M.A.R.T
- GC (Garbage Collection) - automatisch
- AES 256-Bit-Verschlüsselung (Klasse 0)TCG/Opal IEEE1667 (Verschlüsselte Festplatte)
- Unterstützung für den Ruhemodus des Geräts
- Intelligentes Turbowrite 2.0

Abmessungen: 80,15 x maximal 22,15 x maximal 2,38 mm
Gewicht: 9 g





Funktionen
Schnittstelle : PCI Express 4 0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen : 256-bit AES
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) : 1500000 h
Speichertyp : V-NAND TLC
Lesegeschwindigkeit : 7150 MB/s
Schreibgeschwindigkeit : 6300 MB/s
SSD Speicherkapazität : 4 TB
S.M.A.R.T. Unterstützung : Ja
TRIM-Unterstützung : Ja
Zufälliges Schreiben (4KB) : 1350000 IOPS
Zufälliges Lesen (4KB) : 850000 IOPS
Komponente für : PC
Hardwareverschlüsselung : Ja
SSD-Formfaktor : M 2
NVMe : Ja
NVMe Version : 2 0
M.2 SSD- Größe : 2280 (22 x 80 mm)

Gewicht & Abmessungen
Gewicht : 9 g
Höhe : 22,1 mm
Breite : 80,2 mm
Tiefe : 2,38 mm

Betriebsbedingungen
Betriebstemperatur : 0 - 70 °C



SSD Speicherkapazität:
4 TB
SSD-Formfaktor:
M.2
Schnittstelle:
PCI Express 4.0
NVMe:
Ja
Speichertyp:
V-NAND TLC
Komponente für:
PC
Hardwareverschlüsselung:
Ja
NVMe Version:
2.0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen:
256-bit AES
M.2 SSD- Größe:
2280 (22 x 80 mm)
Lesegeschwindigkeit:
7250 MB/s
Schreibgeschwindigkeit:
6300 MB/s
Zufälliges Lesen (4KB):
1050000 IOPS
Zufälliges Schreiben (4KB):
1400000 IOPS
DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung:
Ja
S.M.A.R.T. Unterstützung:
Ja
TRIM-Unterstützung:
Ja
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF):
1500000 h
Arbeitsspannung:
3,3 V
Energieverbrauch (lesen):
5,5 W
Energieverbrauch (schreiben):
4,8 W
Energieverbrauch (idle):
0,06 W
Leistungsaufnahme DevSlp (Geräte Schlaf):
5 mW
Breite:
80,2 mm
Tiefe:
2,38 mm
Höhe:
80,2 mm
Gewicht:
9 g
Verpackungsbreite:
148 mm
Verpackungstiefe:
100 mm
Verpackungshöhe:
22 mm
Paketgewicht:
70 g
Betriebstemperatur:
0 - 70 °C
Stoßfestigkeit in Betrieb:
1500 G


Allgemeine Informationen

Hersteller:
Samsung
Hersteller-Artikelnummer:
MZ-V9S4T0BW
Hersteller-Webseite:
Marke:
Samsung
Produktreihe:
990 EVO Plus
Modell:
MZ-V9S4T0
Produktbezeichnung:
Solid State-Laufwerk 990 EVO Plus MZ-V9S1T0
Produkttyp:
Solid State-Laufwerk

Technische Informationen

Speicherkapazität:
4 TB
Unterstützte Plattform:
PC

Laufwerk

Random 4KB Leselaufwerk:
1050000IOPS
Random 4KB Schreiblaufwerk:
1400000IOPS
Endurance (TBW):
2400 TB
Maximale sequentielle Leserate:
7,08 GB/s
Maximale sequentielle Schreibrate:
6,15 GB/s
Mittlere störungsfreie Zeit (Mean Time Between Failures, MTBF):
171,1 Jahr(e)

Schnittstellen / Anschlüsse

Festplatten-Schnittstelle:
PCI Express NVMe
Laufwerk-Schnittstellennorm:
PCI Express NVMe 5.0 x2

Abmessungen / Gewicht / Farbe

Laufwerkstyp:
Intern
Formfaktor:
M.2 2280
Höhe:
2,4 mm
Breite:
22,2 mm
Tiefe:
80,2 mm

Verschiedenes

Betriebssystem-Kompatibilität:
  • Windows 10 Pro
  • Windows 11 Pro
Unterstützte Geräte:
Computer


Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - verschlüsselt - 4TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5,0 x2 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2,0 (MZ-V9S4T0



Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
4 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Merkmale
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Breite
22.15 mm
Tiefe
80.15 mm
Höhe
2.38 mm
Gewicht
9 g
Leistung
Interner Datendurchsatz
7250 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
1400000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
1050000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
1.500.000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
5.5 Watt (Lesen)
4.8 Watt (Schreiben)
60 mW (Standby)
5 mW (Sleep-Modus)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen
Samsung Magician Software
Verschiedenes
Gehäusematerial
Nickelbeschichtung
Abmessungen & Gewicht (Transport)
Transportbreite
9.9 cm
Transporttiefe
2.29 cm
Transporthöhe
14.2 cm
Service und Support
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95 % (nicht kondensierend)
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 20-2000 Hz


Samsung 990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD 4 TB. SSD-Kapazität: 4 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 7250 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 6300 MB/s, Komponente für: PC\

Funktionen

Speicherkapazität4 TB
FormatierenM.2
SchnittstellePCI Express 4.0
NVMeJa
NVMe-Version2,0
Art der ErinnerungV-NAND TLC
Lesegeschwindigkeit max.7250 MB/s
Schreibgeschwindigkeit max.6300 MB/s
Zufällige Lesegeschwindigkeit (4 KB)1050000 IOPS
Zufällige Schreibgeschwindigkeit (4 KB)1400000 IOPS
S.M.A.R.T. UnterstützungJa
TRIM-UnterstützungJa
Zuverlässigkeit (MTBF)1500000 Stunden
Verschlüsselungsunterstützung256-Bit-AES

Energie

Stromverbrauch (Schreiben)4,8 W
Stromverbrauch (Lesen)5,5 W
Stromverbrauch (Leerlauf)0,06 W
Spannung3,3 V

Gewicht und Größe

Höhe80,2 mm
Breite80,2 mm
Tiefe2,38 mm
Gewicht9 g


Produkttypinterne SSD-Festplatte
Leistungsmerkmale 
Lesetransferrate7.250 MB/s
Schreibtransferrate6.300 MB/s
MTBF1.500.000 h
max. Schreibvolumen (TBW)2.400 TB
4K Random Read IOPS1.050.000
4K Random Write IOPS1.400.000
Eigenschaften 
Kapazität in GB4.000 GB
Bauartintern
Speichertyp3D TLC
BusPCIe 5.0 x2
ProtokollNVMe
FeaturesHost Memory Buffer (HMB), TRIM Support, Garbage Collection, SMART, Device Sleep
ControllerSamsung Piccolo
Leistungsaufnahme (Betrieb)5,5 Watt
VerschlüsselungAES 256-Bit
KühlungLow Profile Kühlkörper
Fertigungsprozess5 nm
Umgebungsbedingungen 
schockresistent bis1.500 G
Betriebstemperatur0 - 70 °C
Abmessungen & Gewicht 
FormfaktorM.2
Bauhöhe2,38 mm
Gewicht9 g
Breite22 mm
Länge80 mm
Weitere Eigenschaften 
1.9/td>
Quellen*Ø Strompreis Eurostat (Stand 1. Halbjahr 2020)


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Festplatte Samsung MZ-V9S4T0BW 4 TB SSD.



Typ:

SSD.

Anschlüsse:

PCIe.

M.2.

Festplatte:

4 TB SSD.



Produktspezifikationen:

  • Kapazität: 4 TB
  • Größe: M.2
  • Schnittstelle: PCI Express 4.0

Hersteller-Nr.:MZ-V9S4T0BW



Technische Einzelheiten:
Hersteller - Samsung



Kurzinfo: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - verschlüsselt - 4 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2.0 Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZ-V9S4T0BW EAN/UPC 8806095575667 Produktbeschreibung: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - 4 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe) Typ Solid State Drive - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 5.0 x2 (NVMe) Merkmale Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm Gewicht 9 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 5.0 x2 (NVMe) Merkmale Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Breite 22.15 mm Tiefe 80.15 mm Höhe 2.38 mm Gewicht 9 g Leistung Interner Datendurchsatz 7250 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben) Maximal 4 KB Random Write 1400000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 1050000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1.500.000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 Stromversorgung Energieverbrauch 5.5 Watt (Lesen) 4.8 Watt (Schreiben) 60 mW (Standby) 5 mW (Sleep-Modus) Software & Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Verschiedenes Gehäusematerial Nickelbeschichtung Abmessungen & Gewicht (Transport) Transportbreite 9.9 cm Transporttiefe 2.29 cm Transporthöhe 14.2 cm Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Min. Lagertemperatur -40 °C Max. Lagertemperatur 85 °C Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb 5 - 95 % (nicht kondensierend) Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) 20 g @ 20-2000 Hz

Samsung 990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD - 4 TB. SSD Speicherkapazität: 4 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 7250 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 6300 MB/s, Komponente für: PC

4TB Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus Retail - Eine 4TB Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus SSD im Einzelhandelspaket.

Samsung 990 EVO Plus SSD 4TB M.2 PCIe Gen4/Gen5 NVMe Internes Solid-State-Module

Die Samsung 990 EVO Plus NVMe M.2 SSD bietet erhöhte sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7150/6300 MB/s und zufällige Lese-/ Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 850.000/ 1.350.000 IOPS. Durch die Unterstützung der neusten PCIe 4.0 x4- und PCIe 5.0 x2-Schnittstellen bietet es Flexibilität für aktuelle und zukünftige Aufgaben.

Erledigen Sie Aufgaben schneller. Die 990 EVO Plus mit dem neuesten NAND bietet verbesserte sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7150/6300 MB/s. Riesige Dateien werden sofort übertragen. Merkmale Frische Energie über die gesamte Lebensdauer der...

MINIX BRIDGERTON - PENELOPE FEATHERINGTON
Lesegeschwindigkeit
7250 MB/s
Schreibgeschwindigkeit
6300 MB/s
Hersteller
Schnittstellen
PCIe, M.2
Anschlüsse
PCIe 4.0 x4, PCIe 5.0 x2
Gewicht
0.009 kg
Speicherkapazität
4 TB
Herstellernummer
MZ-V9S4T0BW
EAN
8806095575667
887276843698
0887276843698

Lesegeschwindigkeit
7250 MB/s
Schreibgeschwindigkeit
6300 MB/s
Hersteller
Schnittstellen
PCIe, M.2
Anschlüsse
PCIe 4.0 x4, PCIe 5.0 x2
Gewicht
0.009 kg
Speicherkapazität
4 TB
Herstellernummer
MZ-V9S4T0BW
EAN
8806095575667
887276843698
0887276843698
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Kundenbewertungen

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Verifizierter Kauf
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Leistung und Preis, Top!
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Vom 13. März 2026
Verifizierter Kauf
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Samsung EVO plus 990 2TB
Speicherkapazität 2 TB
Vom 5. März 2026
Verifizierter Kauf
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Läuft zuverlässig
Speicherkapazität 2 TB
Vom 29. Juni 2026
Verifizierter Kauf
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Alles OK
Speicherkapazität 1 TB
Vom 2. Februar 2026
Verifizierter Kauf
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Top!
Speicherkapazität 2 TB
Vom 8. Mai 2026
Verifizierter Kauf
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Wie beschrieben im Orginalzustand
Speicherkapazität 2 TB
Vom 24. Juni 2026
Verifizierter Kauf
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Produkt macht was es soll
Speicherkapazität 2 TB
Vom 5. März 2026
Verifizierter Kauf
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Prima Speicher
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