Speicherkapazität:

4 TB

Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

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Produktbeschreibung & Produktdaten

Rasant durch deinen Tag
Erledige deine Aufgaben im Handumdrehen. Die 990 EVO Plus mit aktuellem NAND-Flash-Speicher bietet sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Große Dateien, schnell übertagen.

Mit cooler Power durch den Tag
Viel Effizienz für hohe Performance. Der nickelbeschichtete Controller erhöht die MB/s pro Watt im Vergleich zur 990 EVO um bis zu 73% und erreicht die gleiche Leistung und Wärmekontrolle bei weniger Stromverbrauch. Fokussiere dich ganz auf deine Arbeit oder dein Gaming, ohne dir Gedanken um Überhitzung oder die Akkulaufzeit machen zu müssen.

Viel Platz. Viel Geschwindigkeit.
Nutze die volle Leistung deines Laufwerks mit intelligentem TurboWrite 2.0. Verarbeite schnell große Datenmengen und bewältige anspruchsvolle Grafiken mit einem großen TurboWrite-Bereich, der jetzt mit einer Kapazität von bis zu 4 TB erhältlich ist.

Samsung Magician Software
Moderne Laufwerksverwaltung wie von Zauberhand – mit der Samsung Magician Software. Die benutzerfreundliche Software-Lösung kann dir dabei helfen, immer ein Auge auf deine SSD zu haben. Damit kannst du dein Laufwerk mit Updates auf dem neusten Stand halten, Statusparameter und Geschwindigkeit überwachen und auch die Leistungsfähigkeit anpassen.

Es wird empfohlen, die Firmware deiner Samsung SSDs immer auf die neueste Version zu aktualisieren.

Moderne Technologie mit Leben füllen
Seit Jahrzehnten ist der Samsung NAND-Flash-Speicher ein Motor für moderne Technologien, die unser tägliches Leben verändert haben. Die NAND-Flash-Technologie treibt unsere SSDs an und schafft Raum für den nächsten Schub moderner Technologie.

Leistung
Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.250 MB/s. Damit bis zu 45% schneller als die 990 EVO.


Um bis zu 73% höhere im Vergleich zur 990 EVO für mehr MB/s pro Watt bei konstanter Leistung und Wärmekontrolle.

Vielseitigkeit
Hohe Kapazität von bis zu 4 TB und schnelles intelligentes TurboWrite 2.0 mit vergrößertem TurboWrite-Bereich.

SSD Speicherkapazität:
4 TB
SSD-Formfaktor:
M.2
Schnittstelle:
PCI Express 4.0
NVMe:
Ja
Speichertyp:
V-NAND TLC
Komponente für:
PC
Hardwareverschlüsselung:
Ja
NVMe Version:
2.0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen:
256-bit AES
M.2 SSD- Größe:
2280 (22 x 80 mm)
Lesegeschwindigkeit:
7250 MB/s
Schreibgeschwindigkeit:
6300 MB/s
Zufälliges Lesen (4KB):
1050000 IOPS
Zufälliges Schreiben (4KB):
1400000 IOPS
DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung:
Ja
S.M.A.R.T. Unterstützung:
Ja
TRIM-Unterstützung:
Ja
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF):
1500000 h
Arbeitsspannung:
3,3 V
Energieverbrauch (lesen):
5,5 W
Energieverbrauch (schreiben):
4,8 W
Energieverbrauch (idle):
0,06 W
Leistungsaufnahme DevSlp (Geräte Schlaf):
5 mW
Breite:
80,2 mm
Tiefe:
2,38 mm
Höhe:
80,2 mm
Gewicht:
9 g
Verpackungsbreite:
148 mm
Verpackungstiefe:
100 mm
Verpackungshöhe:
22 mm
Paketgewicht:
70 g
Betriebstemperatur:
0 - 70 °C
Stoßfestigkeit in Betrieb:
1500 G


4TB Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus Retail - Eine 4TB Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus SSD im Einzelhandelspaket.

Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - verschlüsselt - 4TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5,0 x2 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2,0 (MZ-V9S4T0



Allgemeine Informationen

Hersteller:
Samsung
Hersteller-Artikelnummer:
MZ-V9S4T0BW
Hersteller-Webseite:
Marke:
Samsung
Produktreihe:
990 EVO Plus
Modell:
MZ-V9S4T0
Produktbezeichnung:
Solid State-Laufwerk 990 EVO Plus MZ-V9S1T0
Produkttyp:
Solid State-Laufwerk

Technische Informationen

Speicherkapazität:
4 TB
Unterstützte Plattform:
PC

Laufwerk

Random 4KB Leselaufwerk:
1050000IOPS
Random 4KB Schreiblaufwerk:
1400000IOPS
Endurance (TBW):
2400 TB
Maximale sequentielle Leserate:
7,08 GB/s
Maximale sequentielle Schreibrate:
6,15 GB/s
Mittlere störungsfreie Zeit (Mean Time Between Failures, MTBF):
171,1 Jahr(e)

Schnittstellen / Anschlüsse

Festplatten-Schnittstelle:
PCI Express NVMe
Laufwerk-Schnittstellennorm:
PCI Express NVMe 5.0 x2

Abmessungen / Gewicht / Farbe

Laufwerkstyp:
Intern
Formfaktor:
M.2 2280
Höhe:
2,4 mm
Breite:
22,2 mm
Tiefe:
80,2 mm

Verschiedenes

Betriebssystem-Kompatibilität:
  • Windows 10 Pro
  • Windows 11 Pro
Unterstützte Geräte:
Computer


Samsung 990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD – 4 TB

Entdecken Sie die leistungsstarke Speicherlösung für anspruchsvolle Computeranwender: die Samsung 990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD mit einer beeindruckenden Kapazität von 4 TB. Diese interne M.2 SSD-Festplatte ist speziell entwickelt, um Ihre Datenübertragung auf ein neues Level zu heben und gleichzeitig für eine schnelle, zuverlässige Speicherung zu sorgen. Ob für professionelle Anwendungen, Gaming oder umfangreiche Datenarchivierung – diese SSD bietet die perfekte Kombination aus Geschwindigkeit, Effizienz und Kompaktheit.

Herausragende Leistung für maximale Effizienz

Mit einer Lesegeschwindigkeit von bis zu 7150 MB/s und einer Schreibgeschwindigkeit von bis zu 6300 MB/s ermöglicht die Samsung 990 EVO Plus eine blitzschnelle Datenübertragung. Das bedeutet kürzere Ladezeiten, schnellere Dateiübertragungen und eine insgesamt reibungslosere Nutzung Ihrer Anwendungen. Dank der PCI Express 4.

Robustes Design für langlebigen Einsatz

Mit den kompakten Maßen von 80,2 mm x 22,1 mm x 2,38 mm und einem Gewicht von nur 9 g ist diese M.2 SSD äußerst platzsparend und leicht. Das robuste Design sorgt für eine zuverlässige Funktion auch bei intensiver Nutzung. Die hohe Kapazität von 4 TB bietet ausreichend Speicherplatz für große Dateien, umfangreiche Projekte und Multimedia-Inhalte, sodass Sie stets genug Raum für Ihre Daten haben.

Vorteile auf einen Blick

  • Große Speicherkapazität von 4 TB für umfangreiche Datenmengen
  • Schnelle Datenübertragung dank PCI Express 4.0 Schnittstelle
  • Hochleistungsfähige Lesegeschwindigkeit von 7150 MB/s
  • Schnelles Schreibtempo von bis zu 6300 MB/s
  • Kompakte Bauform (M.2) für einfache Integration in moderne Systeme
  • Leichtes Gewicht und langlebiges Design für den dauerhaften Einsatz

Ideal für anspruchsvolle Nutzer

Ob Sie ein Profi sind, der auf schnelle Datenzugriffe angewiesen ist, oder ein Gamer, der auf eine reibungslose Performance Wert legt – die Samsung 990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD ist die optimale Wahl. Sie bietet eine zuverlässige, hochperformante Speicherlösung, die Ihre Erwartungen an Geschwindigkeit und Kapazität erfüllt und Ihre Arbeits- oder Spielumgebung deutlich verbessert.

Lieferumfang

SSD, Bedienungsanleitung



Wenn Sie sich für IT und Elektronik begeistern.

Sie gerne technologisch auf dem Laufenden sind und auch kleinste Details nicht verpassen, holen Sie sich.

Festplatte Samsung MZ-V9S4T0BW 4 TB SSD.



Typ:

SSD.

Anschlüsse:

PCIe.

M.2.

Festplatte:

4 TB SSD.



Kurzinfo: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - verschlüsselt - 4 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2.0 Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZ-V9S4T0BW EAN/UPC 8806095575667 Produktbeschreibung: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - 4 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe) Typ Solid State Drive - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 5.0 x2 (NVMe) Merkmale Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm Gewicht 9 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 5.0 x2 (NVMe) Merkmale Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Breite 22.15 mm Tiefe 80.15 mm Höhe 2.38 mm Gewicht 9 g Leistung Interner Datendurchsatz 7250 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben) Maximal 4 KB Random Write 1400000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 1050000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1.500.000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 Stromversorgung Energieverbrauch 5.5 Watt (Lesen) 4.8 Watt (Schreiben) 60 mW (Standby) 5 mW (Sleep-Modus) Software & Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Verschiedenes Gehäusematerial Nickelbeschichtung Abmessungen & Gewicht (Transport) Transportbreite 9.9 cm Transporttiefe 2.29 cm Transporthöhe 14.2 cm Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Min. Lagertemperatur -40 °C Max. Lagertemperatur 85 °C Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb 5 - 95 % (nicht kondensierend) Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) 20 g @ 20-2000 Hz

Funktionen
Schnittstelle : PCI Express 4 0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen : 256-bit AES
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) : 1500000 h
Speichertyp : V-NAND TLC
Lesegeschwindigkeit : 7150 MB/s
Schreibgeschwindigkeit : 6300 MB/s
SSD Speicherkapazität : 4 TB
S.M.A.R.T. Unterstützung : Ja
TRIM-Unterstützung : Ja
Zufälliges Schreiben (4KB) : 1350000 IOPS
Zufälliges Lesen (4KB) : 850000 IOPS
Komponente für : PC
Hardwareverschlüsselung : Ja
SSD-Formfaktor : M 2
NVMe : Ja
NVMe Version : 2 0
M.2 SSD- Größe : 2280 (22 x 80 mm)

Gewicht & Abmessungen
Gewicht : 9 g
Höhe : 22,1 mm
Breite : 80,2 mm
Tiefe : 2,38 mm

Betriebsbedingungen
Betriebstemperatur : 0 - 70 °C



Erstaunliche Geschwindigkeit - jeden Tag
Erledigen Sie Aufgaben in Windeseile. die 990 EVO Plus mit dem neuesten NAND bietet optimierte sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Riesige Dateien, sofortige Übertragung.

Verhindern Sie, dass Sie und Ihre SSD in den roten Bereich geraten.
Optimierte Effizienz - verbesserte Leistung. Der vernickelte Treiber steigert die MB/s pro Watt um 73 % und erreicht so das gleiche Leistungsniveau und Wärmemanagement bei geringerem Stromverbrauch. Konzentrieren Sie sich auf Ihre Arbeit oder Ihr Spiel - ohne sich Gedanken über Überhitzung oder Akkulaufzeit machen zu müssen.

Mehr Platz. Extra Geschwindigkeit
Holen Sie mit dem verbesserten Intelligent TurboWrite 2.0 das Beste aus Ihrem Laufwerk heraus. Verarbeiten Sie große Datenmengen schneller und navigieren Sie einfach und elegant durch umfangreiche Grafiken mit dem erweiterten TurboWrite-Bereich, der jetzt mit einer Kapazität von 4 TB verfügbar ist.

Die wichtigsten Vorteile:
- Produktivität: Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.250 MB/s - 45 % schneller als die 990 EVO
- : Um 73 % verbesserte für mehr MB/s pro Wattjahr bei gleichbleibender Leistung und Wärmemanagement.
- Vielseitigkeit: Bis zu 4 TB mehr Kapazität und schnelles IntelligentTurboWrite 2.0 mit erweitertem TurboWrite-Bereich.

Parameter und Spezifikationen:
4000 GBKapazität
M.2 (2280)
PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Software: Magician SSD-Verwaltungssoftware

Cache-Speicher: HMB (Host Memory Buffer)
Interner Speicher: Samsung V-NAND TLC

Sequentielle Geschwindigkeit:
- 7.250 MB/s Lesen: 7.250 MB/s
- Schreiben: 6300 MB/s

Maximale Anzahl von zufälligen I/O-Lese- und Schreibvorgängen pro Sekunde:
- Lesen: 850.000 IOPS (4 kB, QD32)
- Schreiben: 1.350.000 IOPS ((4 kB, QD32)

Zuverlässigkeit (MTBF): 1,5 Millionen Stunden Zuverlässigkeit (MTBF)

Sonstiges:
- TRIM
- S.M.A.R.T
- GC (Garbage Collection) - automatisch
- AES 256-Bit-Verschlüsselung (Klasse 0)TCG/Opal IEEE1667 (Verschlüsselte Festplatte)
- Unterstützung für den Ruhemodus des Geräts
- Intelligentes Turbowrite 2.0

Abmessungen: 80,15 x maximal 22,15 x maximal 2,38 mm
Gewicht: 9 g





Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
4 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Merkmale
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Breite
22.15 mm
Tiefe
80.15 mm
Höhe
2.38 mm
Gewicht
9 g
Leistung
Interner Datendurchsatz
7250 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
1400000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
1050000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
1.500.000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
5.5 Watt (Lesen)
4.8 Watt (Schreiben)
60 mW (Standby)
5 mW (Sleep-Modus)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen
Samsung Magician Software
Verschiedenes
Gehäusematerial
Nickelbeschichtung
Abmessungen & Gewicht (Transport)
Transportbreite
9.9 cm
Transporttiefe
2.29 cm
Transporthöhe
14.2 cm
Service und Support
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95 % (nicht kondensierend)
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 20-2000 Hz


Samsung 990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD 4 TB. SSD-Kapazität: 4 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 7250 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 6300 MB/s, Komponente für: PC\

Funktionen

Speicherkapazität4 TB
FormatierenM.2
SchnittstellePCI Express 4.0
NVMeJa
NVMe-Version2,0
Art der ErinnerungV-NAND TLC
Lesegeschwindigkeit max.7250 MB/s
Schreibgeschwindigkeit max.6300 MB/s
Zufällige Lesegeschwindigkeit (4 KB)1050000 IOPS
Zufällige Schreibgeschwindigkeit (4 KB)1400000 IOPS
S.M.A.R.T. UnterstützungJa
TRIM-UnterstützungJa
Zuverlässigkeit (MTBF)1500000 Stunden
Verschlüsselungsunterstützung256-Bit-AES

Energie

Stromverbrauch (Schreiben)4,8 W
Stromverbrauch (Lesen)5,5 W
Stromverbrauch (Leerlauf)0,06 W
Spannung3,3 V

Gewicht und Größe

Höhe80,2 mm
Breite80,2 mm
Tiefe2,38 mm
Gewicht9 g


Produkttypinterne SSD-Festplatte
Leistungsmerkmale 
Lesetransferrate7.250 MB/s
Schreibtransferrate6.300 MB/s
MTBF1.500.000 h
max. Schreibvolumen (TBW)2.400 TB
4K Random Read IOPS1.050.000
4K Random Write IOPS1.400.000
Eigenschaften 
Kapazität in GB4.000 GB
Bauartintern
Speichertyp3D TLC
BusPCIe 5.0 x2
ProtokollNVMe
FeaturesHost Memory Buffer (HMB), TRIM Support, Garbage Collection, SMART, Device Sleep
ControllerSamsung Piccolo
Leistungsaufnahme (Betrieb)5,5 Watt
VerschlüsselungAES 256-Bit
KühlungLow Profile Kühlkörper
Fertigungsprozess5 nm
Umgebungsbedingungen 
schockresistent bis1.500 G
Betriebstemperatur0 - 70 °C
Abmessungen & Gewicht 
FormfaktorM.2
Bauhöhe2,38 mm
Gewicht9 g
Breite22 mm
Länge80 mm
Weitere Eigenschaften 
1.9/td>
Quellen*Ø Strompreis Eurostat (Stand 1. Halbjahr 2020)


Produktspezifikationen:

  • Kapazität: 4 TB
  • Größe: M.2
  • Schnittstelle: PCI Express 4.0

Hersteller-Nr.:MZ-V9S4T0BW



Technische Einzelheiten:
Hersteller - Samsung



Die Samsung 990 EVO Plus NVMe M.2 SSD bietet erhöhte sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7150/6300 MB/s und zufällige Lese-/ Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 850.000/ 1.350.000 IOPS. Durch die Unterstützung der neusten PCIe 4.0 x4- und PCIe 5.0 x2-Schnittstellen bietet es Flexibilität für aktuelle und zukünftige Aufgaben.

Erledigen Sie Aufgaben schneller. Die 990 EVO Plus mit dem neuesten NAND bietet verbesserte sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7150/6300 MB/s. Riesige Dateien werden sofort übertragen. Merkmale Frische Energie über die gesamte Lebensdauer der...

Samsung 990 EVO Plus SSD 4TB M.2 PCIe Gen4/Gen5 NVMe Internes Solid-State-Module

MINIX BRIDGERTON - PENELOPE FEATHERINGTON
Lesegeschwindigkeit
7250 MB/s
Schreibgeschwindigkeit
6300 MB/s
Hersteller
Plattformen
Computer
Schnittstellen
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Anschlüsse
PCIe, M.2
Gewicht
0.009 kg
Speicherkapazität
4 TB
Herstellernummer
MZ-V9S4T0BW
EAN
0887276843698
8806095575667
887276843698

Lesegeschwindigkeit
7250 MB/s
Schreibgeschwindigkeit
6300 MB/s
Hersteller
Plattformen
Computer
Schnittstellen
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Anschlüsse
PCIe, M.2
Gewicht
0.009 kg
Speicherkapazität
4 TB
Herstellernummer
MZ-V9S4T0BW
EAN
0887276843698
8806095575667
887276843698

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