Samsung 990 EVO, 2 TB, M.2, 5000 MB/s

die Samsung 990 EVO 2TB NVMe SSD kombiniert schnelle Datenübertragung, großzügige Speicherkapazität und energieeffiziente Leistung in einem kompakten M.2-2280-Design. Sie wurde für kompatible Desktop-PCs und Notebooks entwickelt und eignet sich für Gaming, kreative Anwendungen, Multitasking und alltägliche Produktivität.

Mit 2 TB Speicherkapazität bietet die Samsung 990 EVO reichlich Platz für Betriebssysteme, Anwendungen, Spiele, Fotos, Videos und umfangreiche Projektdateien. Die flexible PCIe-Schnittstelle unterstützt PCIe 4.0 x4 sowie PCIe 5.0 x2 mit dem NVMe-2.0-Protokoll und ermöglicht sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 5000 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 4200 MB/s.

Samsung V-NAND-TLC-Flash-Speicher, ein von Samsung entwickelter Controller und 2 GB LPDDR4-DRAM-Cache unterstützen eine reaktionsschnelle Leistung bei anspruchsvollen Speicheraufgaben. Mit bis zu 700.000 IOPS beim zufälligen Lesen und 800.000 IOPS beim zufälligen Schreiben werden eine schnelle Systemreaktion und effizientes Multitasking ermöglicht.

Der kompakte M.2-2280-Formfaktor erlaubt den direkten Einbau in kompatible Mainboards und Notebooks ohne separate SATA-Daten- oder Stromkabel. Die Samsung-Dynamic-Thermal-Guard-Technologie unterstützt die Überwachung und Regulierung der Betriebstemperatur bei intensiver Nutzung.

Für Datensicherheit und Laufwerksverwaltung unterstützt die SSD AES-256-Bit-Verschlüsselung, TCG Opal 2.0, TRIM, S.M.A.R.T. und automatische Speicherbereinigung. Die Samsung-Magician-Software bietet Funktionen zur Überwachung des Laufwerkszustands, zur Firmwareverwaltung und zur Leistungsoptimierung.

Mit einer spezifizierten Schreibausdauer von 1200 TBW, effizientem Energieverbrauch und hohen Übertragungsgeschwindigkeiten ist die Samsung 990 EVO 2TB eine vielseitige Speicheraufrüstung für kompatible Systeme, die zuverlässigen und reaktionsschnellen internen Speicher benötigen.

Marke: Samsung
Produktserie: 990 EVO
Modell: Samsung 990 EVO NVMe SSD
Modellcode: MZ-V9E2T0
Herstellernummer: MZ-V9E2T0BW
Produkttyp: Internes Solid-State-Laufwerk (SSD)
Speicherkapazität: 2 TB
Formfaktor: M.2 2280
Schnittstelle: PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2
Anschluss: M.2 M-Key
Protokoll: NVMe 2.0
Speichertechnologie: Samsung V-NAND TLC
Controller: Samsung-eigener Controller
DRAM-Cache: 2 GB LPDDR4
Sequenzielle Lesegeschwindigkeit: Bis zu 5000 MB/s
Sequenzielle Schreibgeschwindigkeit: Bis zu 4200 MB/s
Zufällige Leseleistung (4K): Bis zu 700.000 IOPS
Zufällige Schreibleistung (4K): Bis zu 800.000 IOPS
Schreibausdauer: 1200 TBW
Zuverlässigkeit (MTBF): 1,5 Millionen Stunden
Hardwareverschlüsselung: AES 256-Bit, TCG Opal 2.0, IEEE 1667
Funktionen: Intelligent TurboWrite, TRIM, S.M.A.R.T., Garbage Collection, Device Sleep
Temperaturmanagement: Samsung Dynamic Thermal Guard
Durchschnittliche Leistungsaufnahme (Lesen): 5,5 W
Durchschnittliche Leistungsaufnahme (Schreiben): 4,7 W
Leistungsaufnahme im Leerlauf: 60 mW
Betriebstemperatur: 0 °C bis 70 °C
Lagertemperatur: -40 °C bis 85 °C
Stoßfestigkeit: 1500 G bei 0,5 ms
Abmessungen: 80 × 22 × 2,38 mm
Gewicht: Ca. 9 g
Kompatible Geräte: Desktop-PCs und Notebooks mit kompatiblem NVMe-M.2-Steckplatz
Softwareunterstützung: Samsung Magician
Verpackung: Retail
Lieferumfang: Samsung 990 EVO 2TB M.2 NVMe SSD, Dokumentation

Samsung 990 EVO 2TB M.2 2280 SSD, PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 (5000/4200 MB/s)

• Zusätzliche Informationen: Speicher: Samsung V-NAND 3-Bit TLC; Abmessungen: 80 x 22 x 2,3 mm; Gewicht: Max. 9 g; Schnittstelle: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0; Zulässige Spannung: 3,3 V ± 5 %; Betriebstemperatur: 0°C - 70°C; Stoßfestigkeit: 1.500 G und 0,5 ms (Sinuswelle); AES 256-Bit-Verschlüsselung (Klasse 0) TCG/Opal IEEE1667 (verschlüsselte Festplatte)
• Schnittstelle: M.2 PCIe NVMe
• Allgemeine Beschreibung: SSD Samsung 990 EVO 2TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 5000/4200 MB/s
• Anschlussart: M.2 (NGFF)
• Produktfamilie: 990 EVO
• Mittlere Betriebsdauer (MTBF): 1.500.000 Stunden
• Formfaktor: M.2 2280
• Festplattentyp: SSD
• Zufälliges Lesen: 700.000 IOPS
• Zufälliges Schreiben: 800.000 IOPS
• Lesegeschwindigkeit (max.): 5.000 MB/s
• Schreibgeschwindigkeit (max.): 4.200 MB/s
• Festplattenkapazität: 2 TB
• Speichertyp: V-NAND
• Datenspeichertechnik: TLC
• TRIM-Unterstützung: JA
• S.M.A.R.T.-Unterstützung:TAK
• Eigenschaften: 2 TB; 5000/4200 MB/s
• SCIP-Datenbank: Nein
• 000
• KWiU: ex 26.20.22.0
• Logistikkategorie: 2
• Herstellernummer: MZ-V9E2T0BW
• Marke: SAMSUNG
• GPSR - Hersteller-ID: 41249
• GPSR - Herstellername: SAMSUNG
• GPSR - Herstelleradresse: PO Box 12987
• GPSR - Hersteller Postleitzahl: D01F5P
• GPSR - Hersteller Ort: Dublin
• GPSR - Hersteller Land: IE
• GPSR - ID des Verantwortlichen: 41249
• GPSR - Name des Verantwortlichen: SAMSUNG
• GPSR - Adresse des Verantwortlichen: PO Box 12987
• GPSR - Postleitzahl des Verantwortlichen: D01F5P
• GPSR - Ort des Verantwortlichen: Dublin
• GPSR - Land des Verantwortlichen: IE

548.98Samsung

Funktionen
Schnittstelle : PCI Express 4 0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen : 256-bit AES
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) : 1500000 h
Speichertyp : V-NAND TLC
Lesegeschwindigkeit : 5000 MB/s
Schreibgeschwindigkeit : 4200 MB/s
SSD Speicherkapazität : 2 TB
S.M.A.R.T. Unterstützung : Ja
TRIM-Unterstützung : Ja
Komponente für : Universal
Hardwareverschlüsselung : Ja
PCI-Expressschnittstelle Daten-Lanes : x4
TBW-Bewertung : 1200
SSD-Formfaktor : M 2
NVMe : Ja
NVMe Version : 2 0
PCI Express CEM Revision : 4 0
M.2 SSD- Größe : 2280 (22 x 80 mm)

Strom
Stromverbrauch (Sleep-Modus) : 0,005 W
Arbeitsspannung : 3,3 V
Energieverbrauch (idle) : 0,06 W
Energieverbrauch (lesen) : 5,5 W
Energieverbrauch (schreiben) : 4,7 W

Betriebsbedingungen
Relative Luftfeuchtigkeit in Betrieb : 5 - 95%
Temperaturbereich bei Lagerung : -40 - 85 °C
Betriebstemperatur : 0 - 70 °C
Luftfeuchtigkeit bei Lagerung : 5 - 95%
Stoßfestigkeit außer Betrieb : 1500 G
Vibrationen außer Betrieb : 20 G

Technische Details


Gewicht & Abmessungen
Gewicht : 9 g
Höhe : 2,38 mm
Breite : 80,2 mm
Tiefe : 22,1 mm

Verpacken
Verpackungsart : Box

Samsung SSD 990 EVO 2 TB MZ-V9E1T0BW NVMe M.2

Eigenschaften:

• Kapazität: 2 TB
• Sequenzielle Lesegeschwindigkeit: Bis zu 5.000 MB/s
• Sequenzielle Schreibgeschwindigkeit: Bis zu 4.200 MB/s
• Ein-/Ausgabeoperationen lesen (4KB, QD32): Bis zu 700.000 IOPS
• Ein-/Ausgabeoperationen schreiben (4KB, QD32): Bis zu 800.000 IOPS
• Konnektivität: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 (abwärtskompatibel mit PCIe 4.0 x4 und 3.0 x4)
• Storage-Speicher: Samsung V-NAND TLC
• Gerätemaße (B x H x T): 80,0 x 22,0 x 2,38 mm (max.)
• Gewicht: 9 g

Feature2: nand-tlc
Speicherart: SSD
Formfaktor: M.2
Schnittstelle: PCle 4.0 x4 / PCle 5.0 x2
Speicherkapazität (GB): 2000
NAND-Typ: TLC
Sequenzielle Lesegeschwindigkeit (MB/s): 5000
Sequenzielle Schreibgeschwindigkeit (MB/s): 4200
Random Lesegeschwindigkeit (IOPS): 680000
Random Schreibgeschwindigkeit (IOPS): 80000
Breite (mm): 22
Höhe (mm): 2
Tiefe (mm): 80
Gewicht (g): 9

SSD Speicherkapazität:

2 TB

SSD-Formfaktor:

M.2

Schnittstelle:

PCI Express 4.0

NVMe:

Ja

Speichertyp:

V-NAND TLC

Komponente für:

Universal

Hardwareverschlüsselung:

Ja

NVMe Version:

2.0

Unterstützte Sicherheitsalgorithmen:

256-bit AES

M.2 SSD- Größe:

2280 (22 x 80 mm)

Lesegeschwindigkeit:

5000 MB/s

Schreibgeschwindigkeit:

4200 MB/s

PCI-Expressschnittstelle Daten-Lanes:

x4

PCI Express CEM Revision:

4.0

S.M.A.R.T. Unterstützung:

Ja

TRIM-Unterstützung:

Ja

Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF):

1500000 h

TBW-Bewertung:

1200

Arbeitsspannung:

3,3 V

Energieverbrauch (lesen):

5,5 W

Energieverbrauch (schreiben):

4,7 W

Stromverbrauch (Sleep-Modus):

0,005 W

Energieverbrauch (idle):

0,06 W

Breite:

80,2 mm

Tiefe:

22,1 mm

Höhe:

2,38 mm

Gewicht:

9 g

Verpackungsart:

Box

Betriebstemperatur:

0 - 70 °C

Temperaturbereich bei Lagerung:

-40 - 85 °C

Relative Luftfeuchtigkeit in Betrieb:

5 - 95%

Luftfeuchtigkeit bei Lagerung:

5 - 95%

Vibrationen außer Betrieb:

20 G

Stoßfestigkeit außer Betrieb:

1500 G

5 Jahr(e)

Technische Details

Funktionen

• Speichertyp:V-NAND TLC
• Hardwareverschlüsselung:Ja
• NVMe:Ja
• Sicherheitsalgorithmen:256-Bit AES
• Komponente für:Universal
• Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF):1500000 h
• SSD-Kapazität:2 TB
• PCI-Express-Schnittstellendatenspuren:x4
• SMART-Unterstützung:Ja
• SSD-Formfaktor:M.2
• PCI-Express CEM-Revision:4.0
• Schreibgeschwindigkeit:4200 MB/s
• Lesegeschwindigkeit:5000 MB/s
• Schnittstelle:PCI Express 4.0
• NVMe-Version:2.0
• M.2 SSD-Größe:2280 (22 x 80 mm)
• TBW-Bewertung:1200
• TRIM-Unterstützung:Ja

Stromversorgung

• Stromverbrauch (Lesen):5,5 W
• Stromverbrauch (Schreiben):4,7 W
• Betriebsspannung:3,3 V
• Stromverbrauch (Ruhemodus):0,005 W
• Stromverbrauch (Leerlauf):0,06 W

Betriebsbedingungen

• Relative Luftfeuchtigkeit im Betrieb (HH):5 - 95 %
• Betriebstemperatur (TT):0 - 70 °C
• Relative Luftfeuchtigkeit bei Lagerung (HH):5 - 95 %
• Lagertemperatur (TT):-40 - 85 °C
• Vibration (ruhend):20 G
• Stoßfestigkeit (ruhend):1500 G

Gewicht und Abmessungen

• Höhe:2,38 mm
• Breite:80,2 mm
• Gewicht:9 g
• Tiefe:22,1 mm

Verpackungsdaten

• Verpackungsart:Box

Ob gamen, arbeiten oder kreativ sein: Mit der 990 EVO bist du bereit für alles, was heute ansteht.Das Heat Spreader Label der 990 EVO hilft, die Betriebswärme des NAND-Chips effektiv abzuführen. Daneben sorgt der moderne thermische Steueralgorithmus in Verbindung mit der Dynamic Thermal Guard-Funktion dafür, dass die Wärme reguliert und die Perfomance konstant hoch gehalten werden kann. Damit deine Leistung heiß läuft, aber nicht dein Laufwerk.

Der Samsung 990 EVO PCIE 4.0 x4 / 5,0 x2 nvme M.2 SSD hat eine Speicherkapazität von 2 TB.

• Sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 5000/4200 MB/s
• Zufällige Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 700.000/800.000 IOPS
• Bis zu 43% schneller als der 970 EVO Plus SSD
• Unterstützung für PCIe 4.0 X4 und PCIe 5.0 x2 -Schnittstellen
• Bietet Flexibilität für aktuelle und zukünftige Aufgaben

Länge: 2.2 cm.
Geschwindigkeit: 5000 Mb/s.
4200 MB/s.
Anschlüsse: PCI Express 4.0.
M.2.
Spannung: 3.3 V.
Breite: 8 cm.
Gewicht: ca. 9 g.
Sicherheit: AES 256-Bit.
Festplatte: 2 TB SSD.
2 TB.
Typ: Festplatte

Samsung 990 EVO 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

• Typ:
  • Interne Festplatte
  • SSD
• Anschlüsse:
  • PCI Express 4.0
  • M.2
• Geschwindigkeit:
  • 5000 Mb/s
  • 4200 MB/s
• Festplatte: 2 TB SSD
• Farbe: Schwarz
• Kompatibel:
  • NVMe-SSD
  • PC
• Sicherheit: AES 256-bit
• Arbeitstemperaturbereich: 0º / 70º Celsius
• Spannung: 3,3 V

Produktspezifikationen:

• Kapazität: 2 TB
• Größe: M.2
• Schnittstelle: PCI Express 4.0

Hersteller-Nr.: MZ-V9E2T0BW

Merkmale

NVMe Version	2.0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen	256-bit AES
SSD-Formfaktor	M.2
SSD Speicherkapazität	2 TB
Schnittstelle	PCI Express 4.0
Speichertyp	V-NAND TLC
NVMe	Ja
Komponente für	Universal
Hardwareverschlüsselung	Ja
Lesegeschwindigkeit	5000 MB/s
Schreibgeschwindigkeit	4200 MB/s
PCI-Expressschnittstelle Daten-Lanes	x4
M.2 SSD- Größe	2280 (22 x 80 mm)
PCI Express CEM Revision	4.0
S.M.A.R.T. Unterstützung	Ja
TRIM-Unterstützung	Ja
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF)	1500000 h
TBW-Bewertung	1200

Energie

Arbeitsspannung	3,3 V
Energieverbrauch (lesen)	5,5 W
Energieverbrauch (schreiben)	4,7 W
Stromverbrauch (Sleep-Modus)	0,005 W
Energieverbrauch (idle)	0,06 W

Betriebsbedingungen

Betriebstemperatur	0 - 70 °C
Temperaturbereich bei Lagerung	-40 - 85 °C
Relative Luftfeuchtigkeit in Betrieb	5 - 95%
Luftfeuchtigkeit bei Lagerung	5 - 95%
Vibrationen außer Betrieb	20 G
Stoßfest (außer Betrieb)	1500 G

Technische Details

5 Jahr(e)

Gewicht und Abmessungen

Breite	80,2 mm
Tiefe	22,1 mm
Höhe	2,38 mm
Gewicht	9 g

Verpackungsdaten

Verpackungsart

Box

• Verfügbare Kapazitäten: 1 TB und 2 TB⁴
• Leistungsstarke NVMe™-SSD im M.2-Formfaktor (2280)
• Moderne V-NAND Speichertechnologie
• Sequenzielle Lese- und Schreibgeschwindigkeit von bis zu 5.000 / 4.200 MB/s¹, ²
• Energieeffizient: Um 70 % pro Watt verbesserte Leistung gegenüber der 970 EVO Plus³
• Smartes Temperatur-Management für konstant hohe Leistung

Geschwindigkeit, die der Zeit voraus ist. Die 990 EVO bietet verbesserte sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 5000/4200 MB/s und zufällige Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 700K/800K IOPS und ist damit bis zu 43 % schneller ...

Samsung 990 EVO. SSD Speicherkapazität: 2 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 5000 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 4200 MB/s, Komponente für: Universal

SSD 2TB Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Retail: Hochleistungs-SSD mit 2TB Speicherkapazität, M. 2 Formfaktor, PCI-E Schnittstelle und NVMe Gen4-Technologie von Samsung.

Merkmale | NVMe Version: 2.0 | Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-bit AES | SSD Speicherkapazität: 2 TB | SSD-Formfaktor: M.2 | Schnittstelle: PCI Express 4.0 | Eigenschaft: NVMe | Speichertyp: V-NAND TLC | Komponente für: Universal | Eigenschaft: Hardwareverschlüsselung | M.2 SSD- Größe: 2280 (22 x 80 mm) | Lesegeschwindigkeit: 5000 MB/s | Schreibgeschwindigkeit: 4200 MB/s | PCI-Expressschnittstelle Daten-Lanes: x4 | PCI Express CEM Revision: 4.0 | Eigenschaft: S.M.A.R.T. Unterstützung | Eigenschaft: TRIM-Unterstützung | Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 1500000 h | TBW-Bewertung: 1200 | Energie | Arbeitsspannung: 3.3 V | Energieverbrauch (lesen): 5.5 W | Energieverbrauch (schreiben): 4.7 W | Stromverbrauch (Sleep-Modus): 0.005 W | Energieverbrauch (idle): 0.06 W | Gewicht und Abmessungen | Breite: 80.2 mm | Tiefe: 22.1 mm | Höhe: 2.

Nähere Infos dazu entnehmen Sie bitte der Hersteller Homepage!