Samsung M425R1GB4BB0-CWM, 8 GB, 1 x 8 GB, DDR5, 5600 MHz, 262-pin SO-DIMM

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Produktbeschreibung & Produktdaten

Speicherkapazität:
8 GB
Speicherlayout (Module x Größe):
1 x 8 GB
Interner Speichertyp:
DDR5
Komponente für:
PC
Memory Formfaktor:
262-pin SO-DIMM
Gepufferter Speichertyp:
Unregistered (unbuffered)
Speichertaktfrequenz:
5600 MHz
Speicherrangfolge:
1
Speicherspannung:
1.1 V


Technische Daten:
  • Formfaktor: DDR5 SO-DIMM 262-Pin
  • Modultyp: UDIMM Non-ECC (Unbuffered)
  • Datenrate: 4800MT/​s
  • Module: 1x 8GB
  • ECC: On-Die ECC
  • JEDEC-Spezifikation: PC5-38400S
  • Spannung: 1.1V (JEDEC-Normspannung)
  • Modulhöhe: 30mm (JEDEC-Normhöhe)
  • Organisation: single rank, x16
  • Gehäuse: N/​A
  • Beleuchtung: N/​A
  • Besonderheiten: JEDEC-Standardprofil (DDR5-4800/​CL40)
  • CAS Latency (CL): 40 (16.67ns)


Marke: Micron MTC4C10163S1SC56BD1 KF



Samsung M425R1GB4BB0-CWM. Komponente für: PC, Speicherkapazität: 8 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR5, Speichertaktfrequenz: 5600 MHz, Memory Formfaktor: 262-pin SO-DIMM

Samsung - DDR5 - Modul - 8 GB - SO-DIMM 262-Pin - 2800 MHz / PC5-44800 - 1.1 V - ungepuffert
Hersteller
Samsung
Speichertechnologie
DDR5
Maße
30mm (H)
Speicherkapazität
8 GB
Lieferumfang
1x 8 GB DDR5 SO-DIMM Modul
Herstellernummer
M425R1GB4BB0-CWM
EAN
5715328127142
Hersteller
Samsung
Speichertechnologie
DDR5
Maße
30mm (H)
Speicherkapazität
8 GB
Lieferumfang
1x 8 GB DDR5 SO-DIMM Modul
Herstellernummer
M425R1GB4BB0-CWM
EAN
5715328127142
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