Gerätetyp

Solid State Drive - intern

Kapazität

500 GB

Hardwareverschlüsselung

Ja

Verschlüsselungsalgorithmus

256-Bit-AES

NAND-Flash-Speichertyp

TLC (Triple-Level Cell)

Formfaktor

M.2 2280

Schnittstelle

PCIe 3.0 x4 (NVMe)

Puffergröße

512 MB

Merkmale

TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.

Breite

22.15 mm

Tiefe

80.15 mm

Höhe

2.38 mm

Gewicht

8 g

SSD-Leistung

300 TB

Interner Datendurchsatz

3500 MBps (lesen)/ 3200 MBps (Schreiben)

4 KB Random Read

19000 IOPS

4 KB Random Write

60000 IOPS

Maximal 4 KB Random Write

550000 IOPS

Maximal 4 KB Random Read

480000 IOPS

MTBF

1,500,000 Stunden

Schnittstellen

PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card

Kompatibles Schaltfeld

M.2 2280

Energieverbrauch

5.8 Watt (Durchschnitt)
9 Watt (Maximum)
30 mW (Inaktivität Maximum)

Kennzeichnung

IEEE 1667

Service und Support

Min Betriebstemperatur

0 °C

Max...