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Produktbeschreibung & Produktdaten
Pionierarbeit PCIE® 5.0 Leistung
Holen Sie sich das Maximum von PCIE® 5.0. Der 9100 Pro bietet sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten bis nicht weniger als 14.800/13.400 MB/s, was zweimal schneller ist als die des 990 Pro. Lassen Sie die Grenzen von Gen4 mit zufälligen Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 2200.000/2600.000 IOPS, nur mit Gen5 möglich.
Jede Aufgabe, optimal synchron
Geschwindigkeit und optimale Produktivität. Die ultrahoch zufälligen Lese-/Schreibgeschwindigkeiten bieten eine superschnelle synchrone Verarbeitung für unzählige fragmentierte Daten mit einer Geschwindigkeit von bis zu 2200 K/2600.000 IOPS. Nutzen Sie die hervorragende Ausgabe und die superschnelle Belastung schwerer Spiele, anspruchsvolle Aufgaben und sogar AI-Anwendungen.
Schnell mit KI schaffen
Intelligenz bringt Ihre Leistung auf ein höheres Niveau. Drücken Sie Ihre Grenzen in die Arbeit und spielen Sie mit der Generierung von AI PC und AI -Inhalt, die durch die schnellen zufälligen Les-/Schreibgeschwindigkeiten der 9100 Pro bis zu 2.200.000/2.600.000 IOPS betrieben werden. Das Ergebnis? Schnelles Laden, reibungsloses Spielen und nahtlos arbeiten.
Hervorragende Leistung, jederzeit und überall
Bleib immer einen Schritt voraus. Videos bearbeiten? 3D -Kunst? Oder schönes langes Bingwatching? Dank der neuesten PCIE® 5.0 -Schnittstellen ist alles möglich. Die beste Leistung, jederzeit und überall und auf jedem Gerät. Und weil Sie die Speicherkapazität auf 8 TB erweitern können, müssen Sie nicht mehr darüber nachdenken, was Sie aufbewahren.
Äußerst effiziente Temperaturregelung
Ungestörte Top -Leistung. Die Advanced 5nm Power Architecture sorgt für 49% mehr als der 990 Pro. Dank der hervorragenden Temperaturregelung bleiben Sie in Ihrem Fluss und können sogar die schwersten Programme mit der maximalen Leistung von PCIe® 5.0 durchführen.
Samsung Magier -Software
Entdecken Sie die magische Kraft Ihrer SSD. Samsung Magician Software ist ein Paket von Optimierungstools und bietet Ihnen immer die beste SSD -Leistung. Die sichere und einfache Möglichkeit, alle Ihre Daten für ein Samsung SSD -Upgrade zu migrieren. Schützen Sie wertvolle Daten, behalten Sie den Zustand Ihres Monitor -Treibers im Auge und erhalten Sie die neuesten Firmware -Updates.
Innovationen zum Leben erwecken
Das NAND-Flash-Gedächtnis von Samsung ist die Grundlage für revolutionäre Technologien, die seit Jahrzehnten unser tägliches Leben in allen Bereichen verändert haben. Dieser NAND-Flash-Speicher ist auch die Grundlage unserer SSDs für Kunden und daher die nächste führende Entwicklung.
PCIE® 5.0 Leistung
Max. 14.800/13.400 MB/s Folgende Geschwindigkeiten, zweimal schneller als 990 Pro.
Detaillierte Erfahrung
Sehr viel Kapazität mit außergewöhnlicher Kompatibilität.
Innovative Kraft- und Temperaturkontrolle
Die Leistung ist mit fortgeschrittener Temperaturkontrolle nicht weniger als 49% effizienter.
Holen Sie sich das Maximum von PCIE® 5.0. Der 9100 Pro bietet sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten bis nicht weniger als 14.800/13.400 MB/s, was zweimal schneller ist als die des 990 Pro. Lassen Sie die Grenzen von Gen4 mit zufälligen Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 2200.000/2600.000 IOPS, nur mit Gen5 möglich.
Geschwindigkeit und optimale Produktivität. Die ultrahoch zufälligen Lese-/Schreibgeschwindigkeiten bieten eine superschnelle synchrone Verarbeitung für unzählige fragmentierte Daten mit einer Geschwindigkeit von bis zu 2200 K/2600.000 IOPS. Nutzen Sie die hervorragende Ausgabe und die superschnelle Belastung schwerer Spiele, anspruchsvolle Aufgaben und sogar AI-Anwendungen.
Intelligenz bringt Ihre Leistung auf ein höheres Niveau. Drücken Sie Ihre Grenzen in die Arbeit und spielen Sie mit der Generierung von AI PC und AI -Inhalt, die durch die schnellen zufälligen Les-/Schreibgeschwindigkeiten der 9100 Pro bis zu 2.200.000/2.600.000 IOPS betrieben werden. Das Ergebnis? Schnelles Laden, reibungsloses Spielen und nahtlos arbeiten.
Bleib immer einen Schritt voraus. Videos bearbeiten? 3D -Kunst? Oder schönes langes Bingwatching? Dank der neuesten PCIE® 5.0 -Schnittstellen ist alles möglich. Die beste Leistung, jederzeit und überall und auf jedem Gerät. Und weil Sie die Speicherkapazität auf 8 TB erweitern können, müssen Sie nicht mehr darüber nachdenken, was Sie aufbewahren.
Ungestörte Top -Leistung. Die Advanced 5nm Power Architecture sorgt für 49% mehr als der 990 Pro. Dank der hervorragenden Temperaturregelung bleiben Sie in Ihrem Fluss und können sogar die schwersten Programme mit der maximalen Leistung von PCIe® 5.0 durchführen.
Entdecken Sie die magische Kraft Ihrer SSD. Samsung Magician Software ist ein Paket von Optimierungstools und bietet Ihnen immer die beste SSD -Leistung. Die sichere und einfache Möglichkeit, alle Ihre Daten für ein Samsung SSD -Upgrade zu migrieren. Schützen Sie wertvolle Daten, behalten Sie den Zustand Ihres Monitor -Treibers im Auge und erhalten Sie die neuesten Firmware -Updates.
Das NAND-Flash-Gedächtnis von Samsung ist die Grundlage für revolutionäre Technologien, die seit Jahrzehnten unser tägliches Leben in allen Bereichen verändert haben. Dieser NAND-Flash-Speicher ist auch die Grundlage unserer SSDs für Kunden und daher die nächste führende Entwicklung.
Max. 14.800/13.400 MB/s Folgende Geschwindigkeiten, zweimal schneller als 990 Pro.
Sehr viel Kapazität mit außergewöhnlicher Kompatibilität.
Die Leistung ist mit fortgeschrittener Temperaturkontrolle nicht weniger als 49% effizienter.
Samsung 9100 PRO 4 TB NVMe M.2 PCIe 5.0 SSD Produktmerkmale: Durchschnittlicher Stromverbrauch (Schreiben): 8,2 W PCI Express-Anbindung: x4 Hardwareverschlüsselung: Ja Medienschreibgeschwindigkeit: 13400 MB/s Produktgewicht: 9 g MTBF (Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen): 1.500.000 h SMART-Unterstützung: Ja M.2 SSD-Größe: 2280 (22 x 80 mm) Verwendungszweck: PC/Spielkonsole NVMe-Version: 2.0; Produkttiefe: 2,38 mm; Verpackungsart: Karton; DevSlp-Unterstützung (Geräteschlaf): Ja; Betriebsschockfestigkeit: 1500 G; TRIM-Unterstützung: Ja
NVMe:
Ja
- SSD-Kapazität: 4 TB
- Betriebstemperaturbereich: 0 - 70 °C
- Produkthöhe: 22,1 mm
- Durchschnittlicher Stromverbrauch (Lesen): 9 W
- Zufälliges Lesen (4 KB): 2200000 IOPS
- Speichertyp: V-NAND TLC
- SSD-Typ: M.2
- Verschlüsselung/Sicherheit: 256-Bit-AES
- Schnittstelle: PCI Express 5.0
- 600.000 IOPS; Betriebsspannung: 3,3 V; Medienlesegeschwindigkeit: 14.800 MB/s
Funktionen
- Schreibgeschwindigkeit: 13400 MB/s
- Lesegeschwindigkeit: 14800 MB/s
- Sicherheitsalgorithmen: 256-Bit-AES
- Schnittstelle: PCI Express 5.0
- SMART-Unterstützung: Ja
- SSD-Kapazität: 4 TB
- Zufälliges Schreiben (4 KB): 2600000 IOPS
- Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 1500000 h
- NVMe: Ja
- Zufälliges Lesen (4 KB): 2200000 IOPS
- DevSlp-Unterstützung (Geräteschlaf): Ja
- Speichertyp: V-NAND TLC
- NVMe-Version: 2.0
- Komponente für: PC/Spiel Konsole
- TRIM-Unterstützung: Ja
- SSD-Formfaktor: M.2
- PCI-Express-Schnittstellendatenspuren: x4
- Hardwareverschlüsselung: Ja
- M.2 SSD-Größe: 2280 (22 x 80 mm)
Stromversorgung
- Betriebsspannung: 3,3 V
- Durchschnittlicher Stromverbrauch (Lesen): 9 W
- Durchschnittlicher Stromverbrauch (Schreiben): 8,2 W
Betriebsbedingungen
- Stoßfestigkeit im Betrieb: 1500 G
- Betriebstemperatur (TT): 0 - 70 °C
Gewicht & Abmessungen
- Gewicht:9 g
- Tiefe:2,38 mm
- Breite:80,2 mm
- Höhe:22,1 mm
Verpackungsdaten
- Verpackungsart:Box
Weitere Funktionen
Samsung MZ-VAP4T0. SSD-Kapazität: 4 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 14800 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 13400 MB/s, Komponente für: PC/Spielekonsole\
Funktionen
| Speicherkapazität | 4 TB |
| Formatieren | M.2 |
| Schnittstelle | PCI Express 5.0 |
| NVMe | Ja |
| NVMe-Version | 2,0 |
| Art der Erinnerung | V-NAND TLC |
| Lesegeschwindigkeit max. | 14800 MB/s |
| Schreibgeschwindigkeit max. | 13400 MB/s |
| Zufällige Lesegeschwindigkeit (4 KB) | 2200000 IOPS |
| Zufällige Schreibgeschwindigkeit (4 KB) | 2600000 IOPS |
| S.M.A.R.T. Unterstützung | Ja |
| TRIM-Unterstützung | Ja |
| Zuverlässigkeit (MTBF) | 1500000 Stunden |
| Verschlüsselungsunterstützung | 256-Bit-AES |
Energie
| Stromverbrauch (Schreiben) | 8,2W |
| Stromverbrauch (Lesen) | 9 W |
| Stromverbrauch (Leerlauf) | 0,007 W |
| Spannung | 3,3 V |
Gewicht und Größe
| Höhe | 80,2 mm |
| Breite | 80,2 mm |
| Tiefe | 2,38 mm |
| Gewicht | 9 g |
Verpackung
| Art der Verpackung | Kiste |
- SSD Speicherkapazität:
- 4 TB
- SSD-Formfaktor:
- M.2
- Schnittstelle:
- PCI Express 5.0
- NVMe:
- Ja
- Speichertyp:
- V-NAND TLC
- Komponente für:
- PC/Spielekonsole
- Hardwareverschlüsselung:
- Ja
- NVMe Version:
- 2.0
- Unterstützte Sicherheitsalgorithmen:
- 256-bit AES
- M.2 SSD- Größe:
- 2280 (22 x 80 mm)
- Lesegeschwindigkeit:
- 14800 MB/s
- Schreibgeschwindigkeit:
- 13400 MB/s
- Zufälliges Lesen (4KB):
- 2200000 IOPS
- Zufälliges Schreiben (4KB):
- 2600000 IOPS
- PCI-Expressschnittstelle Daten-Lanes:
- x4
- DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung:
- Ja
- S.M.A.R.T. Unterstützung:
- Ja
- TRIM-Unterstützung:
- Ja
- Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF):
- 1500000 h
- Arbeitsspannung:
- 3,3 V
- Energieverbrauch (lesen):
- 9 W
- Energieverbrauch (schreiben):
- 8,2 W
- Durchschnittlicher Stromverbrauch (Lesen):
- 9 W
- Durchschnittlicher Stromverbrauch (Schreiben):
- 8,2 W
- Energieverbrauch (idle):
- 0,007 W
- Leistungsaufnahme DevSlp (Geräte Schlaf):
- 5,7 mW
- Breite:
- 80,2 mm
- Tiefe:
- 2,38 mm
- Höhe:
- 80,2 mm
- Gewicht:
- 9 g
- Verpackungsbreite:
- 143 mm
- Verpackungstiefe:
- 98 mm
- Verpackungshöhe:
- 22 mm
- Paketgewicht:
- 65 g
- Verpackungsart:
- Box
- Betriebstemperatur:
- 0 - 70 °C
- Stoßfestigkeit in Betrieb:
- 1500 G
- 5 Jahr(e)
Produktspezifikationen:
- Kapazität: 4 TB
- Größe: M.2
- Schnittstelle: PCI Express 5.0
Hersteller-Nr.:MZ-VAP4T0BW
Allgemeine Informationen
- Hersteller:
- Samsung
- Hersteller-Artikelnummer:
- MZ-VAP4T0BW
- Hersteller-Webseite:
- Marke:
- Samsung
- Produktlinie:
- 9100 PRO
- Modell:
- MZ-VAP4T0BW
- Produktbezeichnung:
- 9100 PRO
- Anzahl in Packung:
- Box
- Produkttyp:
- Solid State-Laufwerk
Technische Informationen
- Speicherkapazität:
- 4 TB
- Verschlüsselungsstandard:
- 256-bit AES
Laufwerk
- Random 4KB Leselaufwerk:
- 2200000IOPS
- Random 4KB Schreiblaufwerk:
- 2600000IOPS
- Puffer:
- 4 GB
- Endurance (TBW):
- 2400 TB
- Maximale sequentielle Leserate:
- 14,45 GB/s
- Maximale sequentielle Schreibrate:
- 13,09 GB/s
- Mittlere störungsfreie Zeit (Mean Time Between Failures, MTBF):
- 171,1 Jahr(e)
Schnittstellen / Anschlüsse
- Festplatten-Schnittstelle:
- PCI Express NVMe
- Laufwerk-Schnittstellennorm:
- PCI Express NVMe 5.0 x4
Abmessungen / Gewicht / Farbe
- Laufwerkstyp:
- Intern
- Formfaktor:
- M.2 2280
- Höhe:
- 2,4 mm
- Breite:
- 22,2 mm
- Tiefe:
- 80,2 mm
- Gewicht:
- 9 g
Sonstiges
- Unterstützte Geräte:
- Desktop-PC
- Notebook
- PlayStation
Die Samsung 9100 PRO ist eine leistungsstarke PCIe 5.0 NVMe SSD, die für Aufgaben wie KI-Computing, Gaming und intensive Workflows entwickelt wurde. Hier sind einige ihrer wichtigsten Funktionen: Lese- und Schreibgeschwindigkeiten: Sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 14.800 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 13.400 MB/s machen sie zu einer der schnellsten SSDs auf dem Markt. Leistung: Zufällige Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 2.200.000/2.600.000 IOPS für reibungsloses Multitasking und schnellen Datenzugriff. Kapazität: Erhältlich in den Varianten 1 TB, 2 TB, 4 TB und demnächst auch 8 TB. Thermische Effizienz: Fortschrittliche Energie- und Wärmeregelung für bis zu 49 % verbesserte im Vergleich zu Vorgängermodellen. Vielseitigkeit: Ideal für Gaming, Videobearbeitung, 3D-Rendering und KI-Anwendungen.
Die 9100 PRO erreicht schnelle sequentielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 14.800/13.400 MB/s und zufällige Lese-/Schreibgeschwindigkeiten mit bis zu 2.200K/2.600K IOPS. Dank der PCIe 5.0-Schnittstellen lassen sich Videobearbeitung, 3D-Design und sogar lange Streaming-Sessions mühelos meistern.
Bringen Sie Ihre Ausrüstung auf die nächste Stufe mit der Samsung 4TB M.2 PCIe 5.0 SSD: Geschwindigkeit, Sicherheit und Haltbarkeit für Profis, die maximale Leistung verlangen. Eigenschaften Samsung 4TB SSD M.2 PCIe 5.0 Extreme Leistung ohne Kompromisse...
SAMSUNG - Interne M.2 SSD-Festplatte - 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 4 TB - M.2 SSD-Festplatte - 4 TB Speicherkapazität - Schnittstelle: PCI Express 5.0 - 14800 MB/s Lesegeschwindigkeit, 13400 MB/s Schreibgeschwindigkeit
Samsung 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 4 TB. SSD Speicherkapazität: 4 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 14800 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 13400 MB/s, Komponente für: PC/Spielekonsole
4TB Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen5 9100 PRO Basic Retail - Hochleistungs-SSD mit 4TB Speicherkapazität, M. 2-Formfaktor, PCI-E-Schnittstelle und NVMe Gen5-Technologie für schnelle Datenübertragung.
MZ-VAP4T0BW
- Lesegeschwindigkeit
- 14800 MB/s
- Schreibgeschwindigkeit
- 13400 MB/s
- Hersteller
- Plattformen
- ComputerPS5Xbox Series XXbox Series SXbox One XXbox One SXbox OneXboxPS4PS3PS2PS1
- Anschlüsse
- PCI Express 5.0
- Gewicht
- 0.009 kg
- Speicherkapazität
- 4 TB
- Herstellernummer
- MZ-VAP4T0BW
- EAN
- 8806095811703
- Lesegeschwindigkeit
- 14800 MB/s
- Schreibgeschwindigkeit
- 13400 MB/s
- Hersteller
- Plattformen
- ComputerPS5Xbox Series XXbox Series SXbox One XXbox One SXbox OneXboxPS4PS3PS2PS1
- Anschlüsse
- PCI Express 5.0
- Gewicht
- 0.009 kg
- Speicherkapazität
- 4 TB
- Herstellernummer
- MZ-VAP4T0BW
- EAN
- 8806095811703
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